概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

(a)写出及He的 Schrodinger方程的数学表达式。 (b)成键三要素是?,其中成键的决定因素是? 2实验测定下列物质的离解能为:N2,N2;O2O2 De/e.v:8.86,9.90;521,6.77

第一节氧原子上的烃化反应 一 醇的O-烃化 1 卤代烷为烃化剂 2 磺酸酯 3 环氧乙烷类作烃化剂 4 烯烃作为烃化剂 5 醇作为烃化剂 6 其它烃化剂 二 酚的O-烃化 1 烃化剂 2 多元酚的选择性烃化 第二节 氮原子上的烃化反应 第三节 碳原子上的烃化反应

6.001 Structure and Interpretation of Computer Programs. Copyright o 2004 by Massachusetts Institute of Technology 6.001 Notes: Section 10.1 Slide 1o.1.1 Table: a set of bindings Over the past few lectures, we have introduced the concepts of data abstractions, types and aggregate structures. In this lecture

Department of Electrical Engineering and Computer Science 6.001- Structure and Interpretation of Computer Programs Spring semester 2005 Project O Issued: Tuesday, February 1 o Be Completed By: Friday, February 4 6:

利用ZrO2·MgO固体电解质定氧探头测定了实验1kg级铁水喷吹CaO系熔剂同时脱磷脱硫处理过程中反应初始和终了的铁水氧位,并进行了热力学分析。测定的初始氧位范围为Po2=10-8.45~10-9.75Pa(10-13.46~10-14.70atm),比按C/O、Si/O平衡反应计算的氧位提高1~3个数量级,测定的终了氧位范围为Po2=10-7~10-9Pa(10-12~10-14atm),比初始氧位提高1~3个数量级,与热力学计算的最佳氧位值(Po2=10-7.88Pa(10-12.88atm))吻合良好。结果表明,随铁水终了氧位升高,脱磷率增加、终了磷含量下降,脱硫率则稍有降低、终了硫含量稍微升高。此外,还从电化学上对同时脱磷脱硫处理的最佳氧位-电位区域进行了分析,并探讨了铁水罐喷吹脱磷脱硫处理的反应机理

Ypok8 知识点提示] 1、形动词 2、集合数词(2) [重、难点提示] 1、了解形动词的特点 2、掌握主动形动词的构成和用法 3、掌握集合数词o6a(o6e)的变格及用法

用XPS表面分析,研究了由氨解法在不同温度下热解所得的Si3N4粉末,并与由硅粉氮化所得的商用Si3N4粉末作了比较。由氨解法制备的Si3N4粉末其表面存在两种状态的氧:结合状态的氧和吸附态的氧,其表面组成为Si2.2-2.7N2.9-3.7O。由硅粉氮化所制得Si3N4其表面也存在两种状态的氧,其表面组成则为Si0.8N0.8O

本文研究了Ni16Cr,Ni16Cr3AI、Ni16Cr3Ti及Ni16Cr2Nb等合金在700℃,常压下于O2-10%(SO2+SO3)环境条件下硫化-氧化行为.通过X-射线衍射及扫描电镜技术对腐蚀产物组成及形貌进行了观察。在含有SO3的情况下,Nil6Cr合金腐蚀速度较快,加入2%的Nb,对其抗腐蚀性能无太大影响,加入3%的Al或Ti时的腐蚀速度明显下降。主要腐蚀产物以初始合金表面为界分为内、外两层。外层是NiO和Ni3S2的混合物,内层包括所有合金元素的氧化物和硫化物。整个反应中包含Ni由合金基体向腐蚀产物的外层扩散,以及硫和氧在相反方向上的迁移。腐蚀产物层中传质分析表明,氧化物-硫化物混合产物层的组织形态,对控制整个传质过程起着主要作用

在600~900℃的温度范围内,用氢气还原-极谱分析法测定了碱土金属硫化物MgS、CaS和BaS以及稀土硫化物RB2S3与稀土硫氧化物RE2O2S被H2还原时S的析出率,以寻求用H2还原法分离钢铁试样中FeS与其它碱化物的条件。在800℃时,各硫化物被H2还原程度按以下顺序递减:FeS>MgS ≥ RE2S3>RE2O2S ≥ CaS≈BaS