1、试推导出图 4.1 的静态输出表达式和相应的 K 值，画出输入/输出曲线。 2、一应变电阻 R=120Ω，K=2，用作 800μm/m 的传感器元件，求ΔR， ΔR/R。若用电桥测量电路，U=4V，求相应的输出 U0。 如应变片所受应力减少，使相应的输出 U0 降至 1mV，求此时的应变值

天津开放大学：《电气传动与调速系统》课程教学资源（教案讲义）常用电力电子开关器件及应用

10.1 工作原理 10.2 特性与参数 10.3 可控整流电路 10.4 触发电路 10.5 单结管触发的可控整流电路 10.6 晶闸管的其它应用 10.7 晶闸管的保护及其它类型

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第八章功率放大电路 8.1互补对称功率放大电路 8.2集成功率放大器及其应用

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本文主要用恒电势法研究了钼晶核的形成和长大的动力学规律及其对电镀的影响。实验证明,在所选盐系、温度及浓度范围内,阴极反应开始阶段的控制步骤是半球形晶核的形成及其在扩散控制下的长大。适当控制影响这一步骤的因素,可以改善镀层质量。增大超电势将使晶核密度迅速增大,有利于获得结晶细致、光滑致密的镀层。在恒电势下,升高温度将使晶核密度增大,对改善镀层有利;而在恒电流下,升高温度则极化减小,晶核密度变小,对电镀不利。无论在恒电势或恒电流下,增大浓度都会使晶核密度变小,晶粒变粗,对电镀不利

8.1 基本运算电路 一、加法和减法 二、积分和微分 三、对数和指数 8.2 基本应用电路 8.3 模拟乘法器及其应用 Analog Multiplier and Applications

广义晶体群及其在准晶体电镜研究结果分析中的应用

为探讨与控制薄板坯连铸连轧工艺条件下碳化钛在钢中的析出行为,应用透射电子显微术(TEM)研究了纳米尺度TiC和Ti2CS析出相的结构及取向关系.结果表明,实验钢中Ti2CS的析出温度较TiC的高,先析出的Ti2CS可作为TiC的非自发形核地点.实验观察到细小TiC粒子在Ti2CS上生长的现象.电子衍射和X射线能谱(EDS)分析表明:TiC和Ti2CS之间的取向关系为{001}Ti2CS∥{111}TiC,〈100〉Ti2CS∥〈011