熔盐电镀—Ⅱ,钼的电化学成核和长大及其对电镀的影响

D0I:10.13374/j.issn1001-053x.1987.01.012 北京钢铁学院学报 第9卷，第1期 Journal of Beijing University Vol.9 No.1 1987年1月 of Iron and Steel Technology Jan,1987 熔盐电镀一Ⅱ，钼的电化学成核和长 大及其对电镀的影响 招光文 王才荣 姚远 (稀有教研室) 摘 要 本文主要用恒电势法研究了钼晶核的形成和长大的动力学规律及其对电镀的影 响。实验证明，在所选盐系。温度及浓度范围内，阴极反应开始阶段的控制步骤是 半球形晶核的形成及其在扩散控制下的长大。适当控制影响这一步豌的因素，可以 改善镀层质量增大超电势將使晶核密度迅速增大，有利于获得结晶细致.光滑致密 的镀层。在恒电势下，升高温度將使晶核密度增大，对改善镀层有利：而在恒电流 下，升高温度则极化减小，晶核密度变小，对电能不利。无论在恒电势或恒电流 下，增大被度都会使晶核密度变小，晶粒变粗，对电镀不利。 关键词：铝。成核和长大，挖制步躁。镀层质登 Electroplating from Molten Salts Part I,Electrochemical Nucleation and Growth of Molybdenum and Their Effects on Electroplating. zhao Guangwen Wang Cairong yao yuan Abstract Potentiostatic method is mainly used to study the nucleation and growth 1986一02一24收稿 80

第 卷 ， 第 期 北 京 钢 铁 学 院 学 报 。 。 ， 年 月 ， 熔盐电镀一 亚 ， 钥的 电化学成核和长 大及其对电镀的影响 招光文 王 才荣 姚 远 稀有教研室 摘 要 本文主要用恒 电势法研究了相 晶核的形成和 长大的动力学规律及其对 电镀的影 响 。 实验证明 ， 在所选盐 系 温度及浓度范围 内 ， 阴极反应开始阶段的控制步骤是 半球形晶核的形成及其在扩散控制下的长大 适 当控制影响这一步骤的因素 ， 可 以 改善镀层质量 。 增大 超电势将使晶核密度迅速增大 ，有利于获得结晶细致 光滑致密 的镀层 在恒电势下 ， 升 高温度将使晶核密度增大 ， 对改善镀层有利 而在恒 电流 下 ， 升 高温度则极化减小 ， 晶核密度变小 ， 对电镀不利 。 无论在恒电势或 恒 电 流 下 ， 增大浓度都会使晶核密度变小 ， 晶粒变粗 ， 对电镀不利 关键词 铂 ， 成核和 长夫 、 控制步骤 镀层质量 ， ’ 劫 夕叨 ” 夕 夕 ” 一 一 收稿 月 DOI ：10．13374／j ．issn1001－053x．1987．01．012

f of molybdenum and their effects on electroplating.It has been shown that the rate-determining step of cathodic reaction in the initial stage is hemis- pherical nucleation with diffusion controlled growth and the quality of electro- plates can be improved by controlling the factors effecting this'step.Incre- ase of applied overpotential results in increase of nucleus density rapidly, which is favourable for getting an electroplate with coherent nature,fine gra- ins and smooth surface.Under constant potential a higher temperature le- ads to a higher nucleus density,which is in favour of electroplating.Incre- ase in concentration of molybdenum usually leads to decrease:of nucleus density whether constant potential or constant current is kept in the elcctro- plating. Key words:molybdenum,nucleation and growth,rate-determiming step, quality of electroplate. 前 言 钼的熔盐电镀，前人已作过不少研究。S.Senderoff等首先从熔融氯化物中获得钼的镀 层。〔1随后，S.Senderoffc2)和D.Inman(3研究了钼电沉积的电极过程，指出前置步骤是 阴极反应的控制步骤。A.H.BapaδoruH等研究了工艺条件对钼结晶形态的影响(4,5)。近 年来，熔盐电沉积的理论研究比较活跃。，G.J.HIs等认为应更多地注意成核阶段的研 究(6)。D.Inman和段淑贞等将成核过程的研究结果用于熔盐镀铬7)。所以，对成核阶段的 研究不仅有较大的理论意义，而且对熔盐电镀有较大的实用价值。 1实 验 实验用的盐系为共晶成分的LC1一KC1,钼离子用阳极溶解法引入净化过的熔盐中。实 验温度为500~600℃。LiC1,KC1均为分析纯试剂，并经如下净化处理：在室温下抽真空，然 后在真空下缓慢升温脱水，用千燥的氯气处理，再在恒电压(2,6V)下预电解，直到预电 解电流降到0.6~1.6mA为止（电极面积10cm2)。保护气体氩气用DC-IB型净化装置净 化。 研究电极为封在硬质玻璃内的直径为1.2mm的钨丝的端面，参比电极为浸于被研究熔 体中的钼丝，辅助电极为钼坩埚。研究电极用0,5μm的金刚砂研磨膏抛光至镜面光。 为避免净化好的LiC1一KC1重新吸水，所有称量和装料工作都在液氮冷阱千燥的手套箱 内进行。为保证Mo稳定，采用钼坩埚作容器。极化曲线用DHZ一1型电化学综合测试仪 测定，测温用EU一2热电偶，温度控制精度为±1℃。实验用电解池见图1。. 81

目 一 ’ ， ， “ 性 ， ， ‘ 八 弘 衬 。 占人‘ ， ， 一 ， 前 言 铝 的熔盐 电镀 ， 前 人 已作过 不 少研究 。 等首先从熔融 氯化物 中获得相 的镀 层 。 〔幻随后 ， 卿 和 ③研究 了铂 电沉 积 的 电极过程 ， 指 出前置步 骤 是 阴 极反应的控制步 骤 。 占 “ 等研究 了工 艺 条 件对铂结 晶形 态 的影 响 比 “ 〕 。 近 年来 ， 究〔 〕 。 熔盐电沉积的理论研究比较活跃 。 乙 ，等认为应更 多 地 注 意 成 核 阶 段 的 研 研口段淑 贞等将成核过程 的研究结果 用于熔盐镀 铬甲 。 所以 ， 对成核阶 段 的 研究不 仅 有较大的理论意 义 ， 而且对熔盐 电镀 有较大的实用 价值 。 实 验 实验用 的盐 系为共 晶成分的 一 实然 ， 钥离子 用阳极溶解法 引人净化过 的熔盐 中 。 验温度为 匕 。 ， 均 为分析纯试剂 ， 并经如下 净化处理 在室温下抽真空 ， 后在真空下缓慢升温脱水 ， 用 千燥 的氯气处理 ， 再在恒电压 下预 电解 ， 直到 预 电 解 电流降到 一 人 为止 电极面 积 “ 。 保护 气 体氢气 用 一 型净化装 置 净 化 ’ ‘ 研究 电 极为封在 硬质玻 璃 内的 直径为 的钨 丝 的端面 ， 参 比 电极为浸 于被研 究 熔 体 中的铝丝 ， 辅 助 电极为铂增 祸 。 研究电极用 ， 的金 刚 砂 研磨膏抛光至 镜面 光 为避免净化好 的 一 重新吸水 ， 所有称量 和装料工 作 都在 液 氮冷阱干燥 的手套 箱 内进行 测定 ， 。 为 保证 。 。 小 稳 定 ， 采 用铝柑 塌 作容 器 。 极化 曲线 用 一 型 电化学综 合测试 仪 测 温 用 一 热 电偶 ， 温 度控制精度为 士 ℃ 。 实 验用 电解池 见 图

Ar W A R f C 甲一工作电被 A一阳极溶解的阴极 10 R一参比电极 Vacuum C一辅助电板 T一热电偶 1一接头 2一橡皮絮 3一玻璃反应器 4一钼坩棉 5一熔盐 6一玻璃烧结片 1一隔热板 图1实验电解池 Fig,1 Electrolytic cell for experiments 2 实验结果和讨论 2.1电镀初始阶段阴极反应的控制步骤 我们用循环伏安法对钼的电沉积进行了定性研究，典型的循环伏安图见图2。 从图2可见，循环伏安图的阴极分支有一交叉点，并且阴，阳极峰的间隔较大(>0.6V), 表明反应由钼的成核和长大控制9)。 恒电势法的研究，进一步证明这一重要控制步骤的存在。典型的恒电势暂态极化曲线见 图3。从图3可见，电流并不随时间单调地降低（这是离子扩散控制的特征），而是在最初 的双电层迅速充、放电后，出现电流随时间而上升的线段（这是成核和长大的特征），随后出 现的峰值是由于电极表面液层中扩散区重叠的影响。从图3还可见，钼的成核超电势相当 I,mA 150 125 186mN 100 172W -157时 75 50 -142m 25 -125mV 04 0.5 0.3 0.1-0.1 -25 -50 [ha=0 -a0r:V t=590 -75 C6=1.4wt3 10150250的地4 .1C0 A=0,0113c2 -125r:0.065v/s 图3钼在钨上沉积的恒电势暂态极化曲线 LiC1-KC1-MoCl -150 Fig.3 Curreut-time transients for 图2裙在钨上电沉积的循环伏安图 deposition of molybdenum on tungsten Fig.2 A typical Voltammogram for from molten LiCl-KCI,Cwo=1.4wt%, deposition cf molybdenum on tungsten.t=530C,A=0.0113cm,Exo3+/mo=0 82

八 。 。 。 。 一工作电极 一阳极溶解的阴极 一参比 电极 一辅助电极 一热电偶 一接头 一橡皮寨 一玻璃反应器 一铝钳端 一熔盐 一玻璃烧结片 了一隔热板 图 实验电解池 实验结果和讨论 电镀初始阶段阴极反 应的控制 步骤 我 们用 循环 伏安 法 对铂的 电沉积进行 了定 性研究 ， 典型 的循环 伏安 图见图 。 从 图 可 见 ， 循环 伏安 图的 阴 极分支 有一 交叉 点 ， 并且 阴 ， 阳极峰的 间隔较大 ， 表明反 应 由铝 的成核和长大控制〔 “ 〕 。 恒 电势法 的研究 ， 进一步 证 明这一重要控制步骤 的存在 。 典型 的恒电势暂态极化 曲线 见 图 。 从 图 可 见 ， 电流并 不随时 间单调 地降低 这是 离子 扩散控制的特征 ， 而是在最初 的双 电层 迅速充 、 放 电后 ， 出现 电流随时 间而上 升的线 段 这 是 成核和长大 的特征 ， 随后出 现 的峰值是 由于 电极表面 液层 中扩散区重 叠 的影响 。 从 图 还 可 见 ， 铂 的成核 超 电势 相 当 轰、 、 喃 石耐 气 布 ‘ ，乡 丫 仆， ‘ 叶叶注冲少 惬︵︶习曰‘ 李 图 相在钨上电沉积的循环伏安图 图 铂在钨上沉积的恒电势暂态极化曲线 一 一 ， ， 。 二 ， 二 ℃ ， “ ， ， 。 “ 。 ‘

大，大于80mv时，成核作用才明显。 在每一温度，每一浓度下至少作五个不超电势的电流一时间曲线，用这些出线的上升 部分的前半段作I(t)~t/°，以及作1I(t)~1/n2的线性相关检验。这二者都有较好的 线性关系，与理论预料相符。典型数据见图4和5。 n=200mV 3.0 186n9 2.5 172mV In I (t) 2.0 21 157mY 1.5 1 0 5.0x105 1.0 2.02.5 5.0.5 1/ 0.5 0 20n前吨1 -2 图4铝在钠上沉积的1(t)一1/三图 图5切在钨上沉积的1a(t)~1/m图 Fig.4 Plots of I(t)against Fig.5 Plots of InI (t)v.s.1/n2 t3/2 of deposition of Mo on W of deposition of Mo on W CM0=1.4wt%,T=530℃， Cw0=1.4wt%,T=530℃， A=0.0113cm2 A=0.0113cm2 钼品核的扫描电镜照片（左）及相应的能谱图（右）见图6。从图可见，晶核密度较 大，大小较均匀，预示着可获得良好的镀层。 山山mmnmmmmmmim 012 34567890 图6钥晶核的扫描电镜照片（左）及相应的能谱图（本） Fig.6 Scaning electron nicrograph of deposition of Mo on W.(left and co- rresponding x-ray analysis right )Cxo=1,4wt%,T=530C,n=150mV, t=4min,A=0.0113cm2. 2.2超电势对电镀的影响 2.2.1超电势对晶核密度等的影响 83

大 ， 大 干 时 ， 成 核作 才 明显 。 在每 一 温 度 ， 依一 浓 度下至 少 作五个 不 同超 电势的 电流一时 间曲线 ， 川 这些 曲线 的土 升 部分的前半段作 ’ ， 以及作 向 “ 的 线性 相关 检验 。 这二 者都有较好 的 线性关 系 ， 与理论预料相符 。 典型数据见图 和 。 门二 翻佗 皿、，‘皿卜‘口‘‘ 暇， 准 二 。 一， 门 ‘ ， 己 一 润 心 勺 图 车目在钨上沉积的 一 ， 念 图 、 人性 ， 。 ， ℃ ， 二 图 牛目在钨上沉积的 。 门 ’ 图 刀 ， 。 二 ， ℃ ， “ 钥 晶核的 扫描电镜 照 片 左 及相应的能谱 图 右 见 图 。 从 图可 见 ， 晶 核 密 度 较 大 ， 大小较均匀 ， 预示 着可 获得 良好的镀层 。 ， ，‘ ， 山 上司 丈、 、 。 ， ， ， ， 二 ， ， 。 、 ‘ ‘ ‘ ’ 群刁习户乙二寸山‘沙”‘口。 户祠。暇 汉寸 曰闪山江 、 了， ’ ’ 川 ’ ， ’ ’ 斗 乙 “ ” 日 汀 时曰二曰亡泊 妇刀向。已巴二 尸万介 图 钥 晶核 的扫描 电镜照片 左 及相 应的能谱图 右 一 “ 。 二 ， ℃ ， 刀 ， 二 ， 一 超电势对电被 的影响 超 电势对 ‘ 晶核密度等 的 影响

所有实验数据都证明，1n1(t)~1/n2有较好的线性关系。由于I(t)与品核密度N。有正比 关系，所以1N。~1/n2应有线性关系。这表明，实验结果与理论预料的结果很吻合：钼的晶 核密度对超电势的变化敏感，超电势增大，晶核密度迅速增大，有利于获得高质量的光滑致 密，结晶细致的镀层。· 实验数据还显示，【(t)~t/:线段的斜率随超电势增大而增大（参看图4)，这是由 于晶核密度N。和成核速度常数k增大的结果。所以超电势增大不仅有利于增大晶核密度， 而且使成核速度常数增大，有利于从逐渐成核向同时成核过渡，从而使晶粒大小均匀。 实验数据还显示，I(t)~t°线段与t/“轴相交的截距随超电势增大而变小（参看图 4),即成核的孕育期变短。这是由于晶核临界半径与晶核形成功都随超电势增大而减小，在 其它条件不变时，增大超电势会使长大到r.的品胚数增多，而且达到：所需的时间减小，这 对电镀有利。 2.2.2成核超电势的利用和局限性 钼的成核超电势较大，对改善镀层质量有良好作用，可以加以利用，如前述。但是，一， 且新相已经生成，成核超电势就不必要了。此后，如果仍保持高超电势，就会发生控制步骤 的转变，转变为溶液中离子扩散控制，出现枝晶沉积物而不是致密、光滑的镀层。D。Im~ a和段淑贞等总结了成核超电势在熔盐电镀中的利用方式7)，如图7。图中nN为成核超电 势，”。1和门c2为晶核长大的超电势。通常，用比较低的晶核长大超电势刀a2才能避免枝晶 生成，得到致密、光滑的镀层。 IIr 门w Saturation Totol coverage AhRAAr 904q4p494.子白 mcr (High) nG,(iow) A食AAA Non coherent Coherent Deposit Deposit 图7恒电势下不同形态的沉积物形成的可能途径 Fig,7 Scheme showing possible alternative paths followed during the formation of an electrodeposit under potentiosatic conditions." 3.3温度对电镀的影响 温度可以在多方面影响电镀。本实验只考虑温度对成核过程的影响，进而讨论对镀层的 彩响。由实验数据回归得出如下经验式； 1nI(t)=24.1-17423/T (n=170mv) 1nI(t)=26.5-19552/T （n=155mv) 其它条件为：t=500~590℃，C10=1.4%wt,=0.0113cm2。这些经验式表明，实验数 84

所有实验数据都证 明 ， 刀 有较好的线 性关 系 。 由 于 与 晶核密度 。 有正 比 关 系 ， 所以玩 。 一 粉“ 应有线 性关 系 。 这表 明 ， 实验结果与理 论预料的结果 很吻 合 铂的 晶 核密度 对超 电势的 变化敏感 ， 超 电势增大 ， 晶核密度迅速增大 ， 有利 于获得高质量 的光滑 致 密 ， 结 晶细致的镀 层 。 一 、 实 验数据还 显示 ， ” ’ 线 段的 斜率随超 电势增大而 增大 参看图 ， 这 是 由 于 晶核密度 。 和 成核速 度常数 。 增大 的结果 。 所以超 电势增大不仅 有利 于 增大晶核 密 度 ， 而 且使 成核速度常 数增大 ， 有利 于从 逐渐 成核 向同时 成核过渡 ， 从而使 晶粒 大小 均匀 。 实验数据还 显示 ， 线 段与 。 么 轴 相交 的 截距随超 电势增大而 变小 参 看 图 ， 即 成核的孕 育期 变短 。 这是 由于 晶核 临界半径 与 晶核形 成功 都随超 电势增大 而减小 ， 在 其它 条件不 变时 ， 增大超电势会使长大到 。 的 晶胚数增多 ， 而且达到 。 所需的时 间减小 ， 这 对 电镀 有利 。 成核超 电势的利用 和局限性 铂的成核超 电势较 大 ， 对改善镀层 质量 有 良好作用 ， 可 以加 以利 用 ， 如前述 。 但是 ， 一 旦 新相 已经 生 成 ， 成核超电势就 不 必 要 了 。 此 后 ， 如果 仍保持 高超 电势 ， 就 会发 生控制步骤 的转 变 ， 转变为溶液 中离子扩散控制 ， 出现 枝 晶沉 积物而不 是致 密 、 光滑的镀层 。 和 段淑 贞等总结 了成核超 电势在熔盐 电镀 中的利用 方式〔 〕 ， 如 图 。 图 中勺、 为 成 核 超 电 势 ， 刀。 ，和冲。 。 为 晶核长大 的超 电势 ‘ 通 常 ， 用 比较低的 晶核长大超 电势叮。 才 能 避 免 枝晶 生 成 ， 得到致密 、 光滑 的镀层 。 夕 七二 一口二口自 ︸月吕‘ 州习心 日 曰二召又。﹄ 比 卜 工 七 图 恒电势下不同形态的沉积物形成的可能途径 温 度对电 镀 的影响 温 度可 以在 多方面 影响 电镀 。 本实验 只考 虑温 度对成核过程 的影响 ， 进而讨论对镀层的 影响 。 由实验数据 回归 得 出如下经 验式 一 刀 “ 一 其 它 条件为 “ 一 ℃ ， 。 刀， ， 八 二 。 这些经 验式表明 ， 实验 数

据符合理论预料的绪果。此外，随着温度升高，I(t)~t线段的斜率增大，见表1。从表 1和上述二经验式可见，在恒电势下，温度升高，晶核密度N。和成核速度常数增大，有利 于镀层质量。 表1I(t)~t1:线段的斜率随温度的变化 Table 1 Changes of slopes for the lines of I(t)~ts/plots with temperature Temp. 500 530 560 590 1 my sibpes 170 0,0532 0.660 4.06 19.1 155 0,0444 0.275 2.83 14.9 140 0,0288 0.187 2.71 7.45 但是，在工业上恒电流电镀较为方便。不过，在恒电流下，温度升高则超电势减小，温 度升高的作用抵消不了超电势减小的作用，因而品核密度减小，使镀层粗糙，对电镀不利。 3.4钼浓度对电镀的影响 在恒电势暂态极化公式中，不管是逐渐成核还是同时成核，如假设其它变量不随钼浓度 而变化，则I(t)/C不随钼浓度而变化。而实验数据表明，I()/C随钼浓度增大而减 小，典型数据见表2。这一现象的比较合理的解释是k变小，N。变小，晶粒变粗，从而使 I(t)/C变小。由此可见，即使是恒电势电镀，浓度增大也使晶粒变粗，对电镀不利。如 果用恒电流电镀，则浓度增大，电化学极化和浓差极化都减小，晶粒变粗，对电镀不利。 表2 比值I(t)/C/?随浓度的变化 Table 2 Changes in values of I(t)/C/with concentrations Concs. wI n 0.7 1,4 2,1 2.8 3.5 I(t)/Cs/2 220 5.96 3,43 3.04 3,81 210 2.85 200 5.38 2.66 3.63 190 2.41 3.10 180 3.43 1.65 2.55 170 2.12 1.68 160 2.78 1,24 1.21 150 1,76 1,22 140 2.37 0.85 0.80 130 1.39 0,78 85

据符合理论预料的结果 。 此 外 ， 随着温度升高 ， ‘ 讼 线 段的斜率增大 ， ‘见表 。 从 表 和 一 上述二经 验式可 见 ， 在 恒 电势下 ， 温 度升 高 ， 晶核密度 。 和 成核速 度常数增大 ， 有 利 于镀 层 质量 。 表 ’ 线 段的斜率随温度的变化 一 ’ ’ ℃ 龟乌 。 。 。 。 。 。 。 。 二弓且占 片卜组 八“口人 、 但是 ， 在工 业 上 恒 电流电镀 较 为 方便 。 不 过 ， 在 恒电流 下 ， 温 度升高则超 电势减小 ， 温 度 升高的 作用抵消不 了超电势减小的作用 ， 因而 品核密度减小 ， 使镀 层粗 糙 ， 对 电镀 不利 。 车目浓 度对电镀的影 响 在恒 电势暂态 极化 公式 中 ， 不 管是 逐渐 成核还 是 同时成核 ， 如假设其 它 变量不随钥 浓度 而 变化 ， 则 “ 多不随铂浓度而 变化 。 而实验数据表 明 ， ” “ 随 铂 浓度增大而减 小 ， 典型数据见表 。 这一 现象 的 比较 合理 的解释 是 、 变小 ， 。 变小 ， 晶粒 变粗 ， 从 而 使 ’ 变小 。 ’ 由此可 见 ， 即使 是 恒 电势 电镀 ， 浓度 增大也使晶粒 变粗厂对 电镀 不 利 。 如 果 用 恒 电流 电镀 ， 则浓度 增大 ， 电化学 极化和 浓 差 极 化都减小 ， 晶粒 变粗 ， 对 电镀 不利 。 表 比 值 ’ 随 浓 度 的 变 化 。 坦 ’ 拓 ， 。 一一 一 ， 。 … … ’ · 口·下…三二卜三于

少数的I(t)/C/?值不随浓度增大而降低。这些数多出现在本实验的高浓度区。这可 能是浓度较高时，平衡向生成钼的多聚物的方向移动，多聚物能直接在电极上沉积之枚3)。 3·结 论 钼从LiC1一KC1一MoCI3熔体中电镀时，其阴极反应初始阶段的控制步骤为钼晶核的形 成及其在扩散控制下的长大。因此，应用两步法电镀，即在高超电势下成核，再在低超电势 下长大，有利于获得优良的镀层。 参考文献 1 Senderoff,S;Brenner,A.J.Electrochem.Soc,101(1954),16 (2 Senderoff,S.Mellors,G.W.J.Elcctrochem.Soc,114(1967 ) 556 3 )Inman,D;Spencer,R:Advances in Extractive Metallurgy and Refin- ning,413,Edd.by Jones,M.J.,London,(1972) 4 Bapa6ouRum,A.H.M IP 3nexrpoxumus,6 (1970),1552. 5 Bapa6outKun.A.H.M IP 3exrpoxumus,8 (1972)863 6 Hills,G.J,et al Electrochem,Acta,19(1974),657 7)Inman,D;Vargas,T;Duan,S(段淑贞)；Dudley,P:Proceedings,4th International Symposium on Molten Salts,San Francisco,1983 (Pub. 1984),545 〔8〕万apa6omKH,A,H:3 nTekTporpncrannnaann MeraoB3 Pacnnannen HbIx Coeǔ，105，M3 marenbCTBo《HayK》,Mockga(1976) C 9 Gunawardena,G;Hills:Giet al:J.Electroanal,chem,138 (1982),225 86

少数的 ’ “ 值不 随浓度增大而降低 。 这些数多 出现在本实验的高浓 度区 。 这 可 、 能是 浓度较 高时 ， 平衡 向生 成铂 的 多聚物的方 向移动 ， 多聚物能直接在 电极上沉积之故 〔 。 结 论 铂从 一 一 。 熔体 中电镀 时 ， 其 阴极反应初始阶 段的控制步骤为铂 晶核的形 成及其在 扩散控制 下的长大 。 因此 ， 应用两步法 电镀 ， 即在 高超龟 势下 成核 ， 再在低超 电势 下长大 ， 有利 于获得优 良的镀 层 。 参 考 文 献 〔 〕 ， ， ， ， 〔 〕 ， ， ， ， · ， 〔 〕 ， ， ， 义 ， ， ， ， ， 〔 〕 ， 八 几 只 ， ， 〔 〕 。 口 几 宜 ， 〔 〕 ， ， ， 〔 〕 ， ， ， 段淑 贞 ， ， ‘ ， ， 连 ， 〔 〕 坦 ‘ 。 ， 二 只 反二 二 双班 应 江 几 二 二 万 习 、 几 五， ， 及 刀 毛 《 》 ， 〔 〕 飞 ， 、