解题的基本思路 （1)确定研究对象进行受力分析; (隔离物体,画受力图) （2)取坐标系; （3)列方程(一般用分量式); （4)利用其它的约束条件列补充方程; （5)先用文字符号求解,后带入数据计算结果

矩量法(简称MoM)，就其数值分析而言就是广义Galerkin(伽略金)法。矩量法包括两个过程，离散化过程和选配过程，从而把线性算子方程转化为矩阵方程。 &4.1 矩量法概述 &4.2 基函数与权函数选择 &4.3 MOM法应用举例

系统地评估了铁氧化物还原动力学中氧化物型杂质或添加剂的影响,进行了必要的量化分析.其影响的特点与杂质含量,杂质存在形式和加入方法,样品的初始化学组成和物理性状,还原剂的种类,反应温度,还原分数等多种因素有关

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1.学会用拉伸法测定金属丝的杨氏模量 2.掌握用光杠杆测量微小长度变化的原理和方法。 3.练习并掌握用逐差法处理实验数据

包括建立机械运动的描述方法,即选择合适的参量对物体的机械运动进行数学描述。研究表征运动几何性质的基本物理量，如速度、加速度、角速度和角加速度等。研究运动分解与合成的规律

数学公式,反应函数(矩阵) 求反应矩阵的逆 修正因子 正规化的开拆法 估计量的方差与偏置 正规化参数的选择 举例 a) Tikhonov 规则 b) MaxEnt 规则

上篇电子光学 第1章电子在轴对称场中的运动 第2章电子透镜 第3章有关像差的基本概念 第4章非轴对称电子光学器件 第5章宽束和强流电子光学简介 第6章场与轨迹方程的数值解 下篇束流传输理论 第7章束流传输理论的主要问题 第8章束流传输元器件和对应的传输矩阵 第9章组合系统设计 第10章误差与非理想场

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

一、半导体与数字集成电路： 1、1947年晶体管发明引起了电子学的一次革命，晶体管是约翰·巴丁、沃尔特·布雷登和威廉·肖克莱共同发明，该发明促成了计算机、通信等方面的飞速发展。鉴于它的重要价值，这些人共同获得了1956年的诺贝尔物理学奖