第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

一、零件图样的工艺分析： 零件图的完整性、正确性分析 在手工编程时要计算构成零件轮廓的每一个节点坐标，在自动编程时要对构成 零件轮廓的所有几何元素进行定义，但常常遇到构成零件轮廓的几何元素的条件不 充分。如圆弧与直线、圆弧与圆弧在图样上相切，可是依据图样给出的尺寸计算相 切条件时却变成了相交或相离状态，这种情况导致编程无法进行。因此，当审查与 分析图样时，发现构成零件轮廓的几何元素的条件不充分时，应及时与零件设计者 协商解决

4.1 二元系相图. 4 4.1.1 二元系相图的基本知识. 4 4.1.2 简单低共熔型二元系相图. 9 4.1.3 含有中间化合物的二元系相图.11 4.1.4 含固溶体的二元系相图.12 4.1.5 冶金过程中主要的二元系渣系相图.13 4.2 三元系相图.15 4.2.1 三元系相图的基本知识.15 4.2.2 完全互溶型三元系相图.19 4.2.3 简单低共熔三元系相图.20 4.2.4 实际三元系相图的分析方法.22 4.2.5 物系点冷却过程分析实例.25 4.4 熔渣的结构理论.28 4.4.1 分子结构假说（理论）——辛克（申克）提出的关于熔渣结构最早的理论.28 4.4.2 离子结构理论.30 4.6 熔渣的离子结构模型.32 4.6.1 完全离子溶液模型.32 4.6.3 离子聚合反应模型（马森模型）.34 4.7 熔渣的活度曲线图.36 4.7.2 CaO − SiO2 − Al2O3 三元系组分的活度.36 4.7.3 CaO− SiO2 − FeO 三元系组分的活度.37 4.8 熔渣的化学性质.39 4.8.1 酸碱性.39 4.8.2 氧化性和还原性.40 4.8.3 容量性质（熔渣吸收有害物质的能力）.41 4.9 熔渣的物理性质.42 4.9.1 熔化温度.42 4.9.2 密度.42 4.9.3 粘度.42 4.9.4 电导率（比电导）.44 4.9.5 表面性质（表面张力和界面张力）.44 4.9.6 扩散.47

定义: 三维实正交群O(3)的有限子群. 第一类点群: 只含转动元素, SO(3)的有限子群, 也称为 固有点群; 第二类点群: 除含有转动元素外,还含有转动反演元素. ■ n阶转动轴: 设点群G是由绕固定轴k 转动生成的n阶群,则 G由Ck(2/n)生成.固定轴k 称为n阶轴. 将元素Ck(2/n)记 为Cn, 群G是由Cn生成的n阶循环群{Cn, Cn 2

第一单元 D型性格 高支配力：脾气大的有魄力 第二单元 I型性格 高影响力：爱说爱笑的有魅力 第三单元 S型性格 高稳定性：没脾气的有亲和力 第四单元 C型性格 高顺从性：不说不笑有执行力

6.1线性空间的定义与性质 定义1设V是一个非空集合,R为实数域,如果对任 意两个元素a,∈,总有唯一的一个元素γ∈V与 之对应,称为a,B的和,记作y=a+B;对于任一 个数k∈R与任一个元素a∈V,总有唯一的一个元 素δ∈V与之对应,称为k与a的积,记为δ=ka; 两种运算满足以下八条运算规律

1线性空间的定义 设V是一个非空集合,R为实数域如果对于任 意两个元素a,B∈V,总有唯一的一个元素∈V与 之对应称为a与的和记作y=a+又对于任 数∈R与任一元素a∈V,总有唯一的一个元素 δ∈V与之对应称为与a的积,记作δ=λa;并且这 两种运算满足以下八条运算规律(设a,,y∈V;

1、数组:一组具有相同数据类型的数据的有序的集合。 2、数组元素:数组中的元素。数组中的每一个数组元素具有相同的名称,不同的下标,可以作为单个变量使用,所以也称为下标变量。在定义一个数组后,在内存中使用一片连续的空间依次存放数组的各个元素

1. Divido公司是一个完全以股权融资的公司,其总市值为10000万元。该公司持有1000万元的现金等价物和9000万元的其它资产。公司发行在外的普通股共计100万份,每股市价为100元

前几章已学过的无源元件有:R、L、C R:耗能、静态、无记忆; L、C:储能、动态、有记忆; 它们都是二端元件。本章介绍两种四端元件: 1.耦合电感:具有电感的特性; 2理想变压器:是静态、无记忆,但不耗能。 受控源也是四端元件,它与将要介绍的耦合 电感均属耦合元件