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在MOS电容金属电极上,加以脉冲电压,排斥掉半 导体衬底内的多数载流子,形成“势阱”的运动, 进而达到信号电荷(少数载流子)的转移。 图像传感器:转移的信号电荷是由光像照射产生; 若所转移的电荷通过外界诸如方式得到,则其可以 具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功 能
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电荷为信号 基本功能电荷的存储和转移 工作过程:产生、存储、传输和检测 两类:电荷包在半导体和绝缘体之间,界 面传播(SCCD);电荷包存储在离表面一 定深度的体内,体内传播(BCCD)
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§3.1 基本光学关系式 §3.2 光路中的光现象 §3.3 光学元件 §3.4 光调制和光束扫描 §3.5 大气调光——光在大气中的传播与衰减 §3.6 光路设计软件简介
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1. 半导体的导电特性 2. PN结及其单向导电性 3. 二极管 4. 稳压二极管 5. 双极型晶体管 6. 光电器件
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ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值
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§3.1 基本光学关系式 §3.2 光路中的光现象 §3.3 光学元件 §3.4 光调制和光束扫描 §3.5 大气调光——光在大气中的传播与衰减 §3.6 光路设计软件简介
文档格式:PDF 文档大小:1.36MB 文档页数:18
文章介绍了集成光开关的发展现状及核心技术,包括采用氧化硅I-V族半导体材料和硅材料来制作光开关的进展以及各种技术的特点。其中硅基集成光开关具有结构紧凑、功耗小、成本低以及与互补型金属一氧化物一半导体(CMOS)工艺兼容的优势,适合大规模光开关制作和量产,具有潜在的巨大市场商用价值。文章重点介绍了实现硅基光开关的核心单元器件以及几种代表性光开关阵列并对光开关状态监控和调节以及光电封装做了阐述
文档格式:PPT 文档大小:1.24MB 文档页数:18
实现光电转换、信号储存、转移、输出、处理及电子快门等。 特点: (1)体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、寿命长
文档格式:PDF 文档大小:1.74MB 文档页数:27
近十余年来,钙钛矿太阳能电池光电转换效率从3.8%提升至目前的25.5%,有望成为下一代商业用薄膜太阳能电池。然而,目前广泛使用的TiO2电子传输层电子迁移率低、退火温度高、紫外光照稳定性差等特性使得TiO2基钙钛矿太阳能器件电池性能,尤其是长期稳定性,面临巨大挑战
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