作为探测研究半导体深能级缺陷的手段，导纳谱测试方法被逐渐开发拓展，比如测量异质结材料的能带偏移.本文介绍了利用导纳谱测量半导体量子阱的量子限制效应的实验原理方法以及装置系统，并且对一些半导体量子阱样品进行了测量，得到了激活能等实验结果

5.5半导体材料的电导 5.5.1半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷: 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷,对材料的物理性能、化学 性能产生决定性的影响

晶体的缺陷 金属 半导体/超导体 薄膜/界面/多孔材料 多聚物/Ps化学 纳米材料/巨磁阻/量子点

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