3.1 数字集成电路的分类 3.2 半导体器件的开关特性 3.3 逻辑门电路 3.4 触发器

数字集成电路的发展 自 20 世纪 60 年代以来遵循摩尔定律，每 1.5 年集成度与速度提高一倍。 从简单的门电路到复杂的数字系统，系统复杂程度急剧提高

系统设计：芯片的功能、尺寸、外部接口、 性能、速度、成本等； 功能设计：系统功能块分割、功能框图 信号流程图、状态转换图等 逻辑设计：各功能块的逻辑表达、逻辑电路图等 功能仿真：不考虑电路连线延时

6.1 输入缓冲器 6.2 输出缓冲器 6.3 ESD保护电路 6.4 三态输出的双向I/O缓冲器

2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

本章简要地阐述最主要的数学知识及计算机中最基本的单元电路。本章的内容是必要的入门知识，是以后各章的基础。对于已掌握这些知识的读者，本章将起到复习和系统化的作用。 2.1 数制与编码 2.2 单片机系统常用数字集成电路 2.3 单片机系统中的常用存储器电路

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路 基本单元电路 4.9 动态电路基础

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

对于 NMOS，B 通常接地；当 时，电子被吸引到栅极下面，形成导电通 道；对于 PMOS，B 通常接正电源；当 时，空穴电子被吸引到栅极下面， 形成导电通道；