研究了含硅量为1.5%(质量分数)的高硅马氏体型热作模具钢(SDH3)的内耗谱与显微结构之间的关系.实验用SDH3钢采用1060℃保温30min油冷淬火和不同回火工艺处理.试样的温度-内耗谱(TDIF)的测量在振动仪上进行,采用自由衰减法,测量温度区间为室温至750℃.实验结果表明:SDH3钢的TDIF谱线主要是Snoek峰和SKK峰这两种机制的内耗峰;随着回火温度的升高,内耗峰峰高均逐渐降低,并且峰位也发生改变;当回火温度达到650℃时,内耗峰完全消失而只剩下背景内耗;随着回火保温时间的延长,内耗峰峰高和峰位都发生变化,并从扩散控制再分配机理的角度对这些变化进行了分析讨论

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

利用作者导出的计算公式,系统研究了赤铁矿反浮选脱硅捕收剂N-十二烷基-1,3-丙二胺(CH3(CH2)11NH(CH2)3NH2,记为DN3)与N-十二烷基乙二胺(CH3(CH2)11NH(CH2)2NH2,记为DN2)的结构性能,得出了该类捕收剂应具有基团电负性较小、前线轨道能级差的绝对值较小、极性基断面尺寸较大、中心原子净电荷较大等结论.采用不同捕获剂进行了赤铁矿反浮选脱硅试验.结果表明,DN3和DN2的选择性和捕收性都好于十二胺(CH3(CH2)11NH2),DN3的选择性优于DN2,DN2的捕收性优于DN3.计算结果与实际浮选试验结果相符合

高炉法辅助电炉因地制宜地生产硅锰铁合金,可以充分利用我国贫锰矿资源,并有可能提供一个新的高炉铁合金品种。在理论分析的基础上,在一座36m3的小高炉上进行了工业冶炼试验。试验表明:在高炉上用富氧鼓风冶炼含Si=12-14%的硅锰铁合金,在技术上是成功的,在我国条件下,经济上也是有益的

铁水预处理脱钛已被应用到实际生产中,铁水中的硅、锰、碳、磷在脱钛的同时都存在被氧化的可能.热力学计算和热模拟实验表明,铁水温度越低越有利于脱钛反应的进行.脱钛时,铁水中硅含量随钛含量的变化呈正比例下降,锰、磷含量变化与钛含量变化关系不大.铁水中碳的氧化主要受铁水温度影响,温度越高碳越容易氧化.要做到深脱钛,需要控制得到更低的铁水硅含量、更低的铁水温度以及抑制碳的氧化

硅藻门植物细胞壁富含硅质 ,硅质壁上具有排列规则的壳面花纹。 细胞壁:外层为硅质,内层 为果胶质,细胞壁无色、透明。底栖种类的细胞壁较厚 ,浮游种类的壁较薄

以铝硅合金和球墨铸铁为研究对象,分别采用正常热处理、室温及高温下施加脉冲电流处理的方法,研究了脉冲电流对固态金属中非金属相形态的影响.结果表明:在脉冲电流处理下,铝硅合金中粗杆状共晶硅的粒化速度加快;球墨铸铁经脉冲电流处理后,原有石墨的直径没有明显增大,石墨的平均似圆度略有增加,组织中出现了新生的球状小石墨;在脉冲电流作用下非金属相周围位错的行为及原子的扩散是决定非金属相形态的主要原因

研究了以天然石灰和天然粉石英为基本原料,添加2CaO·SiO2对合成硬硅钙石型硅酸钙保温材料的影响。结果表明,随着2CaO·SiO2加入量的逐渐增多,硬硅钙石型硅酸钙保温材料的烘干收缩率逐渐降低;当添加量由0上升到5%时,制品的烘干收缩率由2.19%降低到0.92%,制品由不合格变为合格;烘干收缩率降低的原因是2CaO·SiO2的加入促进了二次粒子形成

在碳/碳复合材料上渗硅可得到碳化硅复盖层。对不同渗硅温度和时间下得到的碳化硅层进行破坏性试验。实验指出,有碳化硅复盖层保护下的碳/碳复合材料,其抗氧化性能提高约2个数量级

聚铝碳硅烷是耐超高温Si-Al-C纤维的先驱体.为了制备合适的先驱体,采用聚硅碳硅烷与乙酰丙酮铝反应合成聚铝碳硅烷,并对其反应机理进行了详细的研究.其中聚硅碳硅烷是含有Si-Si-Si和Si-C-Si的低聚物.通过在反应过程中从反应体系中抽取样品,并采用FTIR、GPC、1H-NMR、27Al-NMR和紫外可见光谱对反应过程进行追踪分析.结果表明:反应过程中存在Si-Si-Si向Si-C-Si转化的Kumada重排反应;乙酰丙酮铝的交联作用使得聚铝碳硅烷的相对分子质量和支化度大大提高,乙酰丙酮铝的反应主要发生在330℃以下和400℃以上,反应产物中Al以Si-O-Al结构存在