上一章建立在量子理论基础上的金属自由电子理论，虽然取得了较大成功，能够解 释金属电子比热、热电子发射等物理问题，但仍有不少物理性质，如有些金属正的霍耳 系数，固体分为导体、半导体和绝缘体的物理本质，以及部份金属电导率有各向异性等， 是这个理论无法解释的

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V

9.1 只读存储器 9.2 随机存取存储器

第一章 单片机的基础知识 第二章 MCS-51指令系统 第三章 汇编语言程序设计 第四章 半导体存储器 第五章 输入输出与中断 第六章 并行接口与定时／计数器 第七章 串行接口 第八章 功能器件的应用 第九章 单片机的C51编程 第十章 单片机控制系统设计与调试

霍耳效应是德国物理学家霍耳（A.H.Hall 1855—1938）于 1879 年在他的导师罗兰 指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。 六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中 得到了广泛应用

结型场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、用输入电压控 制输出电流的半导体器件。从参 与导电的载流子来划分，它有自 由电子导电的N沟道器件和空穴 导电的P沟道器件

7-1 概述 7-2 只读存储器ROM 7-3 随机存储器RAM 7-4 存储器容量的扩展 7-5 用存储器实现组合逻辑函数

晶闸管（Silicon Controlled Rectifier 简称SCR）是在60年代发展起来的一种 新型电力半导体器件，晶闸管的出现起到了弱电控制与强电输出之间的桥梁作用

1.存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储单元:能够存储二进制数码1或0的电路。 存储容量:存储器含有存储单元的数量

一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响