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3.1半导体三极管(BT) 3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.1.3BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数
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第3章场效应与基本放大电路 3.1结型场效应管 3.2绝缘栅场效应管 3.3场效应管的主要参数、特点及使用注意事项
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4–1 集成运算放大器的特点 4–2 电流源电路 4–3 差动放大电路 4–4 集成运算放大器的输出级电路 4–5 集成运放电路举例 4–6 MOS集成运算放大器 4–7 集成运算放大器的主要性能指标
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自测题 一、(1)√(2)×(3)×(4)× 二、(a)加集电极电阻R及放大电路输入端的耦合电容。 (b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同铭端
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§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络
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5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较
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2.1 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性运放电路 2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用
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4.1结型场效应管 4.2砷化镓金属-半导体场效应管 4.3金属氧化物-半导体场效应管 4.4场效应管放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较
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放大电路引入负反馈以后,由于1+AF>1,故A
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3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=-9V,VB 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管
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