对于中规模、大规模和某些VLSI的IC,前面介绍的基本光刻工艺完全适用,然而 ,对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代,某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括:光学设备的物理局限;光刻胶分辨率的限制;晶园表面的反射现象和高低不平现象等
§5.1 自然光与偏振光 Natural Light and Polarized Light §5.3 单轴晶体的双折射现象 §5.4 光在晶体中波面 Wave Front of Light in the Crystal §5.5 光在晶体中的传播方向 Direction of Light Propagation in the Crystal §5.6 晶体偏振器件 Crystal Polarization Device §5.7 椭圆偏振光与圆偏振光 Elliptically and Circularly Polarized Light §5.8 偏振态的实验检验 Experimental Analysis of Polarized Light §5.9 偏振光的干涉 Interference of Polarized Light §5.10 光弹性效应和电光效应 Photoelastic Effect and Electro-Optic Effect 5.11 旋光现象 (Rotational Phenomena)