研究了热等静压(HIP)连接DD402单晶合金与FGH95粉末合金的扩散偶中,DD402单晶合金的γ'相筏形化过程.提出了一种新的γ'相筏形化的机理,分析了γ'相筏形化的驱动力问题,建立了γ'相筏形化过程的物理模型.讨论了筏形γ'片层厚度与原始γ'相的尺寸、体积分数以及γ'相形成元素的扩散流量之间的关系.结果表明,单晶合金的γ'筏形化是由于其形成元素的扩散使γ'定向长大.筏形化的过程包括两个阶段:一是γ'粒子的定向连接阶段;二是筏形γ'片层的平坦化.筏形化γ'的初始片层厚度及筏形化方向主要由γ'原始尺寸及晶体取向决定

计算了Mo-Si-B三元系中各化合物不同温度下标准生成自由焓和合成Mo5SiB2(T2相)反应在不同开始温度下的绝热温度及反应产物的熔化比.结果表明:用Mo、Si和B三种元素粉末混合物来原位合成Mo5SiB2在热力学上是完全可行的;合成Mo5SiB2不宜用燃烧合成的自蔓延模式,宜采用燃烧合成的热爆模式(原位反应热压工艺);反应的绝热温度及反应产物的熔化比与开始温度有关

4.1 组合逻辑电路的分析 4.2 组合逻辑电路的设计 4.3 常用MSI组合逻辑器件及应用 4.4 组合逻辑电路中的竞争与冒险

研究温度、压力和升压速度对使用催化剂合成琥珀色立方氮化硼的影响.结果表明,在本实验条件下,合成立方氧化硼所用的温度、压力都低于合成金刚石的值;减慢超压速度有利于改善立方氮化硼的合成效果

对含铜无钴马氏体时效合金系列进行了研究。固溶处理时第2相Fe2Mo完全溶解的温度不能低于950℃。含钼量为≤6%的合金,高温逆转奥氏体再结晶处理温度为950℃;含钼量大于6%的合金,再结晶处理的温度,随钼含量增加而提高。再结晶的光学显微组织呈长方块状,未再结晶的光学显微组织呈细条束状。540℃时效处理,主要沉淀相为Ni3Mo和Fe2Mo,前者为棒状,后者是圆点状。Fe-Ni15Mo6-Cu1-Ti合金,经950℃固溶和再结晶处理,540℃时效3h,常规力学性能相当于18Ni（250）的水平

综述MP35N合金的力学性能和两种强化工艺冷变形和时效处理对其性能的影响,将MP35N合金强化机理分为4类并加以详细阐述,描述不同强化机理的发展历程和现状。分析MP35N合金不同强化机理的优缺点和未来关于MP35N合金的研究思路

3.1 逻辑电路设计文档标准 3.1.1 框图 3.1.2 门的符号标准 3.1.3 信号名和有效级 3.1.4 引端的有效级 3.1.5 引端有效级的变换 3.1.6 图面布局及总线 3.1.7 时间图 3.2 组合电路分析 3.2.1 穷举法 3.2.2 逻辑代数法 3.2.3 利用摩根定律分析 3.2.4 利用卡诺图 3.3 组合电路设计 3.3.1 根据逻辑问题的描述、写出逻辑表达式 3.3.2 逻辑电路的变换 3.4 组合电路中的竞争与险象 3.4.1 竞争现象 3.4.2 险象 3.4.3 险象的判别 3.4.4 险象的消除 3.5 常用MSI组合逻辑器件及应用 3.5.1 译码器 3.5.2 编码器 3.5.3 三态缓冲器 3.5.4 多路选择器 3.5.5 奇偶校验电路 3.5.6 比较器 3.5.7 加法器

系统地研究了镁对GH169合金的综合性能,特别是在高温接近使用条件下力学行为的影响,从而提出在GH169合金中应控制合宜含镁量的新要求.成为生产和发展具有我国特色的优质GH169合金的一个重要手段

基本要求：理解逻辑代数的基本逻辑运算，懂得在数字电子技术中数学运算是用逻辑运算实现的；掌握逻辑运算规则、逻辑函数的表示、逻辑函数的标准表达式、卡诺图化简等基本理论；懂得从电子技术角度，逻辑运算通过电路实现；初步理解逻辑门电路的基础概念及其接口特性；掌握利用逻辑代数知识分析组合逻辑电路的一般过程及其方法；了解用逻辑门电路设计组合逻辑电路的一般过程；掌握译码器、编码器、数据选择器等常用中规模组合逻辑电路芯片的逻辑功能及其特点；掌握利用译码器、数据选择器实现组合逻辑电路的一般过程及其应用方法

用热变形后的直接时效(DA处理)和标准热处理对比试验的方法,对DA处理在GH169合金中的实际应用进行了探讨。结果表明,DA处理确可提高合金的拉伸强度,并大幅度提高光滑持久寿命。但由于塑性指标的降低而导致缺口持久和周期持久寿命的降低,并使疲劳、蠕变交互作用的蠕变损伤加剧。其原因是可能DA处理过程中晶界δ相析出过少,晶界晶内强度配合不良,达不到强韧化的作用。同时指出晶粒细化,并在变形工艺中对位错组态进行控制,使δ相以合理的数量和形态析出,才能获得真正应用的DA GH169合金