1.准时上下课,并在课前提前准备好所需器材,下课后如数交回,如有丢失损坏应写明情况。(1-3分) 2.因事、因病不能上课者应提前一天请假,并将教学进度送教研室主任以备代课人按教案上课。不请假或请假未准或私自找人代课、调课者按旷课论

3.1极限状态设计原则 3.1.1建筑结构的功能要求 1安全性建筑结构在其设计使用年限内应能够承 受可能出现的各种作用。且在设计规定的偶然事 件发生时及发生后,结构应能保持必需的整体稳 定性,不致倒塌

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针对富水充填材料的凝结性能受石膏种类影响的问题,采用X射线衍射、扫描电镜、红外光谱等微观实验,分析富水充填材料硬化体的组成,探讨二水石膏和半水石膏对富水充填材料性能影响的机理.结果表明:以硫铝酸盐水泥-石膏-石灰为主的富水充填材料体系中,为保证正常的凝结硬化,石膏应为二水石膏;如以半水石膏为原材料,在7 d龄期时仍不具有强度;二水石膏充足时生成的钙矾石晶体呈细针状,二水石膏不足时生成的钙矾石晶体为六棱短柱状;富水充填材料的强度主要来源于硫铝酸盐水泥-石膏-石灰反应生成的钙矾石,而不是水泥自身水化的水化硫铝酸钙、铝胶和氢氧化钙

1.准时上下课,并在课前提前准备好所需器材,下课后如数交回如有丢失损坏应写明情况。(1-3分) 2.因事、因病不能上课者应提前一天请假,并将教学进度送教研室主任以备代课人按教案上课。不请假或请假未准或私自找人代课、调课者按旷课论,事假每次课(3分),旷课按有关规定处理

通过采用激光共聚焦扫描显微镜对AISI304奥氏体不锈钢的凝固过程进行了原位动态观察研究.发现当冷却速率为0.05℃·s-1时,奥氏体不锈钢以胞状晶方式凝固,其凝固模式为FA模式,即δ铁素体相先从液相中形核并长大,γ相在1 448.9℃时通过与液相发生包晶反应(L+δ→γ)在δ铁素体相界形成,当温度降到1 431.3℃时液相消失,δ铁素体相通过固态相变转变为γ相,富Cr贫Ni的残留铁素体位于胞状晶之间.当冷却速率为3.0℃·s-1时,奥氏体不锈钢以枝晶方式生长,冷却到1346.4℃时包晶反应在液相与δ铁素体相界之间进行,其残留铁素体位于枝晶干,与冷却速率为0.05℃·s-1时相比,其残留铁素体的数量增多,残留铁素体富Cr贫Ni的程度减轻

应力腐蚀裂缝内电化学行为的研究方法分为实际测量、模拟测试和理论计算三种。本文简略地介绍和评述了各种研究方法的进展情况及优缺点。存在的主要问题是:裂尖的电化学动力学过程、裂缝内电流及阻抗的分布规律、外部极化对裂尖电化学状态的影响等尚不清楚

第一章绪论 1-1、材料力学的任务 1-2、变形固体的基本假设 1-3、外力、内力及应力的概念 1-4、位移、变形及应变的概念 1-5、构件的分类杆件的基本变形

用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理

回线误差是影响磁弹效应力传感器综合精度的一项重要误差。为了探索这类误差产生的原因,本文设计了3%Si-Fe冷轧Goss织构电工铜片单晶体拉应力试样。实验结果表明,随着样品工作区中单晶体的[100]方向与应力σ之间的夹角θ的变化,样品的回线误差不但有数值大小的变化,而且回线误差的类型也不同。一种是,当减载时,传感器的输出电压值高于加载到同一载荷时传感器的输出电压值,另一种则与此相反。本文分析了这类材料的传感器在工作状态下,单晶体内磁铸分布的变化过程,认为回线误差大小及类型随θ角的变化,是单晶体内晶体缺陷与铸壁相互作用的结果