Homework II (cont’d): Ch. 6 problems 6, 7, 8 (optionally 10) and Ch. 7 problems 3, 6, 7, 9, 10 (optionally 12) a useful site: www.cbi.pku.edu.cn Use blast search in database swissprot PDB is available on this site. Rasmol is available for Win98 if you don’t want to download Chemscape

1、改变介质－膜分离 2 、 改 变 dV/dθ 的变化 ， 错流过滤(Cross-flow Filtration) 3 、 改 变 间 隙 过 程 (Dual-FunctionalFilter)

一、填空题 （每题 1． 5 分，共 30 分 ） 1．（27）10＝（ ）2 ＝（ ）8421BCD 2.（11001）2 ＝（ ）10 3．逻辑函数 Y= A+B+ C D 的反函数 Y = ，对偶式 Y ′ ＝

1模入通道(A/D)转换实验2模出通道 (D/A)转换实验3过程通道综合设计实验4常 规控制算法设计实验5非最少有限拍算法设计实验 6达林算法设计实验7状态观测器跟踪系统设计 实验 1模入通道(A/D)转换实验1.1实验目的掌握模入通道的 设计方法与采样过程原理,熟悉汇编语言基本程序设计方法调试过程和 ADC0809的内部结构原理。 1.2实验器材单片机仿真器系统一套,直流稳压电源一台,万用表一块, ADC0809一块,74LS02四或非门一块,10电位计一只,包板一块,导线若 干

确定局部损失系数的实验方法 例用U形压差计测量水平放置弯管的局部损 失系数。已知d=0.25m,Q=0.04m3/s,U 形管工作液体的密度P=1600kg/m3。如果 测得△h=70mm,试计算5 解忽略沿程损失,对1和2断面列出伯努利方程

例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设

For general applications in 3D, often need to perform 3 separate rotations to relate our inertial frame to our body frame Especially true for aircraft problems There are many ways to do this set of rotations -with the variations be based on the order of the rotations All would be acceptable

§9-1 静电场中的导体 §9-2 有导体时静电场的分析方法 §9-3 静电场中的电介质 §9-4 D矢量及其高斯定理 §9-5 电容和电容器 §9-6 静电场的能量

I If f(t)=100 for 04.(a) Calculate v at t=T/4.(b) Find the average power delivered by this waveform to a 5Q2 resistor 3 Let v(t)=3-3 cos(100 t-40)+4 sin(200 T t-10)+2.5 cos 300 tt V Find: (a)the average value Var;(b)the rms value V;(c)the period T; (d)v(18ms)

In this lecture, we will derive expressions for the angular momentum and kinetic energy of a 3D rigid body. We shall see that this introduces the concept of the Inertia Tensor. Angular Momentum We start form the expression of the angular momentum of a system of particles about the center of mass