§2.1 半导体材料特征（一次课） §2.2 半导体结合的性质（一次课） §2.3 量子力学基础（一次课） §2.4 半导体能带和导电机制 （一次课）

7-7金属一绝缘体一半导体和MOS反型层 MS体系:金属一绝缘体一半导体 Metal Insulator Semiconductor MOS体系:金属一氧化物一半导体

1.半导体载流子的近似玻耳兹曼统计 半导体中的电子和金属中的电子一样服从费密一一狄拉克统计。在金属中,电子填充空带的部分形 成导带,相应的费密能级位于导带中。 对于掺杂不太多的半导体,在热平衡下,导带中有从施主能级激发到导带中的电子,价带中还有少量的空穴

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设

第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

1、杂质与杂质能级 杂质:半导体中存在的与本体元素不同的其它元素杂质出现在半导体中时,产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏

作为探测研究半导体深能级缺陷的手段，导纳谱测试方法被逐渐开发拓展，比如测量异质结材料的能带偏移.本文介绍了利用导纳谱测量半导体量子阱的量子限制效应的实验原理方法以及装置系统，并且对一些半导体量子阱样品进行了测量，得到了激活能等实验结果

同质结:由同种半导体材料构成的N区或P区,形成的PN结。如将两块带隙宽度相同、掺杂不 同的半导体材料,在一定的条件下生长在一起形成同质结。 异质结:两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块单晶上形成的结。 同型异质结:结的两边导电类型相同:NN,PP结 异型异质结:结的两边导电类型不相同:NP,PN结 对于异型异质结:两种材料的带隙不同