半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

基于经典晶体塑性理论,建立了耦合孪生的晶体塑性本构模型并进行了全隐式积分的数值实现.该本构模型采用饱和硬化法则,并采用孪生阻力与滑移硬化之间的正比关系来描述孪生对滑移硬化影响及孪生硬化行为.针对该本构模型的13个参数,结合各参数物理意义提出了参数的分类确定方法.以孪生诱导塑性（TWIP）钢Fe-22Mn-0.6C为例,着重对硬化参数的局部灵敏度进行了分析,研究了各硬化参数对宏观力学响应、孪生激活和演化的影响,根据变形机制的不同宏观变形过程可区分为孪生硬化阶段和孪生硬化失效阶段,进而给出了硬化参数确定的步骤及其建议取值范围.结果表明：初始滑移阻力与屈服极限线性相关,取值范围在80~160 MPa之间;孪生硬化指数增大使得孪生硬化阶段减弱,其取值范围应在0~3之间;孪生阻力与滑移阻力比值增大,则孪生增长率降低,硬化率拐点后移,直至拐点消失,其取值范围在1~1.3之间

用薄晶体透射电镜研究锰对热轧空冷后低碳Si-Mn双相钢的组织和力学性能的影响。实验结果表明:钢中锰含量为1.79%时,显微组织中出现珠光体。拉伸工程应力-应变曲线有明显物理屈服延伸。钢中锰含量越少、珠光体量越多时,应力-应变曲线上屈服平台越长。锰含量大于2.09%时,轧态组织中不再出现非马氏体型转变产物珠光体。轧态组织中的马氏体岛区,由几个微区组成。这些微区分别为内孪晶马氏体区和位错板条马氏体区

使用分析纯试剂配料,在1350℃保温1 h的条件下合成了A/S=5（Al2O3与SiO2质量比）的铝酸钙熟料.研究了钙铝比C/A（除去与SiO2结合的CaO后CaO与Al2O3的摩尔比）对熟料中12CaO·7Al2O3晶体结构及其氧化铝浸出性能的影响,并通过X射线衍射和X射线荧光等分析手段对其作用机理进行了探讨.结果表明：由于12CaO·7Al2O3量的增加,C/A=1.0~1.4时,石灰烧结法熟料溶出率随着C/A的提高而提高；在C/A=1.4时,熟料溶出率最高可达93.30%,此时CaO的缺失形成了有缺陷的12CaO·7Al2O3,且其中CaO的物质的量小于11.3 mol；钙铝比提高到1.7时熟料溶出率又出现了下降趋势,这是由于CaO的饱和导致12CaO·7Al2O3晶体择优生长取向发生变化,由（211）面开始向（420）晶面转变

利用X射线衍射方法,研究了304L不锈钢中电解充氢过程和随后时效过程中的氢致奥氏体结构变化和氢致马氏体相变。结果表明,电解充氢可导致奥氏体晶格膨胀和马氏体相变,α’相和ε相同时出现,并且在室温时效过程中并不能消失

作为纳米技术领域的一种新材料，金属--有机骨架( metal-organic framework，MOF) 薄膜材料( 也称为 SUＲMOFs) 获得了越来越多研究者的关注． 多种合成方法的不断提出，为大量合成膜厚度、均匀性、形态、甚至维度均可控的 MOF 薄膜材料提供了可能性，并为薄膜材料在更多领域中的应用提供了机会．

采用熔融法,由熔融高炉渣制备性能稳定的基础玻璃.通过对基础玻璃的差热分析确定微晶玻璃的热处理工艺制度.结合X射线衍射分析、扫描式电子显微镜观察等现代研究方法,确定了微晶玻璃热处理制度的最佳工艺参数,并研究了微晶玻璃的晶体生长方式.微晶玻璃的热处理最佳工艺参数为:核化温度850℃,保温1.5 h;晶化温度935℃,保温1 h.玻璃首先从表面开始析晶,然后逐步向内部生长.实验所得微晶玻璃的力学性能,如抗折强度、耐酸碱性和硬度,均优于天然大理石

本文用STEM电镜观察了Fe-0.48C-0.80Mn-1.30Si-0.45Mo合金的贝氏体-奥氏体界面位错的形貌及晶体学特征。结果表明,贝氏体-奥氏体界面的位错组态很接近于Rigsbee和Aaronson所描述的魏氏铁素体的界面结构。本文还讨论了贝氏体、板条马氏体、魏氏铁素体的界面结构及界面迁移机制的异同

本文采用氩离子束轰击法,对不同晶体学表面形貌的CVD金刚石膜进行抛光处理。结果表明,对不同表面形貌的金刚石膜,应合理选择离子束轰击入射角,提高离子束加速电压有利于提高抛光效率,(100)择优生长的金刚石膜最容易得到高的表面平整度