❖ 1.1 控制理论的发展历程 ❖ 1.2 控制理论的分析比较 ❖ 1.3 现代控制理论的特点 ❖ 1.4 现代控制理论的基本内容 ❖ 1.5 本课程的主要内容

3.1 z变换 3.2 z反变换 3.3 z变换的性质和定理 3.4 z变换与拉氏变换和傅里叶变换的关系 3.5 序列的傅里叶变换及性质 3.6 离散系统的频域分析 3.7 综合实例

第一节 苯的结构 第二节 单环芳烃的分类异构和命名 第三节 单环芳烃的物理性质 第四节 单环芳烃的化学性质 第五节 苯环上亲电取代反应的定位规则

第一节 数字信号基带传输的基本理论 第二节 基带传输的线路码型 第三节 基带数字信号的再生中继传输 第四节 再生中继传输性能的分析 第五节 数字信号的频带传输

第一节 通信及通信系统构成 第二节 信息、信号及分类 第三节 模拟通信和数字通信 第四节 数字通信特点及性能指标

• 1.MSI的应用 • 2.组合逻辑电路的分析方法 • 3.组合逻辑电路的设计方法 Sec3.1 概述 Sec3.2 组合逻辑电路的分析方法 Sec3.3 组合逻辑电路的设计方法 Sec.3.5 多路选择器 Sec3.6 译码器 Sec.3.7 组合逻辑电路的VHDL设计方法 • Sec3.7.1 VHDL设计语言 • Sec3.7.2 用VHDL设计全加器 • Sec3.7.3 VHDL多路选择器设计 • Sec3.7.4 VHDL设计译码器方法

• 1 学习时序逻辑电路的分析方法； • ２学习时序逻辑电路的设计方法； • ３学习中规模集成电路的应用；计数器、寄存器、移位寄存器、顺序脉冲发生器等

8.1 存储设备的分类 8.2 只读存储器ROM 8.3 PROM 8.4 可擦写PROM 8.5 ROM的应用 8.6 RAM(随机访问存储器或叫读写存储器)

§1. 数字化制造系统的基本组成与分类 §2. 数字化制造系统中的典型硬件简介 §3. 数字化制造系统中的典型软件简介 §4. 数字化制造系统设计 §5. 数字化管理系统 §6. 数字化工厂

采用直流电沉积工艺,制备了平均晶粒尺寸为56nm的致密纳米晶铜.室温下进行单向拉伸实验,发现纳米晶铜的强度和韧性均随应变速率的升高而增大,特别是韧性的速率敏感十分显著.应变速率由1.04×10-5s-1升至1.04s-1时,断裂应变由23.2%增至39.4%,同时抗拉强度由309MPa增至451MPa.这一现象可归因于两个方面:首先,纳米晶铜的应变硬化行为随应变速率的升高而增大,从而使其均匀变形阶段的应变增加;其次,高应变速率下纳米晶铜颈缩时发生晶粒转动,这有助于其失稳阶段的应变增加