霍耳效应是德国物理学家霍耳（A.H.Hall 1855—1938）于 1879 年在他的导师罗兰 指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。 六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中 得到了广泛应用

结型场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、用输入电压控 制输出电流的半导体器件。从参 与导电的载流子来划分，它有自 由电子导电的N沟道器件和空穴 导电的P沟道器件

7-1 概述 7-2 只读存储器ROM 7-3 随机存储器RAM 7-4 存储器容量的扩展 7-5 用存储器实现组合逻辑函数

晶闸管（Silicon Controlled Rectifier 简称SCR）是在60年代发展起来的一种 新型电力半导体器件，晶闸管的出现起到了弱电控制与强电输出之间的桥梁作用

1.存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储单元:能够存储二进制数码1或0的电路。 存储容量:存储器含有存储单元的数量

一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响

一、非平衡载流子的产生 1．光注入 用波长比较短的光

一、外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 二、外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法

一、非平衡载流子及其产生 非平衡态：系统对平衡态的偏离

一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想载流子 定向运动,即漂移运动。 结论:在严格周期性势场(理想)中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度,其漂移速度应越来越大