5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

一 、选择正 确答案填 入空内。 （ 1） 测 试放大电 路输出电 压幅值与 相位的变 化，可以 得到它的 频 率 响 应 ，条件是 。 A.输 入 电 压幅值不 变，改变 频 率 B.输入电 压频率不 变，改变 幅 值 C.输入电 压的幅值 与频率同 时变化

8-1电量都是q的三个点电荷,分别放在正三角形的三个顶点.试问:(1) 在这三角形的中心放一个什么样的电荷,就可以使这四个电荷都达到平 (即每个电荷受其他三个电荷的库仑力之和都为零)?(2)这种平衡与三角形 的边长有无关系?

8-1电量都是q的三个点电荷,分别放在正三角形的三个顶点.试 问:(1)在这三角形的中心放一个什么样的电荷,就可以使这四个 电荷都达到平衡(即每个电荷受其他三个电荷的库仑力之和都为 零)?(2)这种平衡与三角形的边长有无关系?

8-1 电量都是 q 的三个点电荷，分别放在正三角形的三个顶点．试问：(1) 在这三角形的中心放一个什么样的电荷，就可以使这四个电荷都达到平衡 (即每个电荷受其他三个电荷的库仑力之和都为零)?(2)这种平衡与三角形 的边长有无关系?

本章讨论的问题: 功率放大是放大功率吗?电压放大电路和功率放大电路有什么区别?2什么是晶体管的甲 类、乙类和甲乙类工作状态?3晶体管的最大耗散功率是否是电路的最大输出功率?晶体 管的耗散功率最大时,电路的输出功率是最大吗?

2.1集成电路运算放大器 2.1.1电路如图题2.1.1(主教材图2.1.3)所示,运放的开环电压增益 A。=10°,输入电阻7=10°,输出电阻rn=750,电源电压V.=+10V, V.=-10v。(1)求运放输出电压为饱和值时输入电压的最小幅值tp-v=?

• 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 3.5.1 温度对工作点的影响 3.5.2 射极偏置电路

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

6.1模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2差分式放大电路 6.3差分式放大电路的传输特性 6.4集成电路运算放大器 6.5实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响