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High power diode laser ROFIN DI Series ROFIN DL X75 750 w ROFIN DL 010 000 W ROFIN DL 015 500 W ROFIN DL 020 2000 w ROFIN DL 025 2500 W ROFIN DL 030 3000 w ROFINI SINAR

西安交通大学：《电力电子变电技术》fast recovery diode module

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MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULE RM400DY665 HIGH POWER SWITCHING USE HVDi(High Voltage Diode) Module INSULATED TYPE

西安交通大学：《电力电子变电技术》fast rcovery diode

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External dimensions(Unit: mm) High frequency rectification （1)Small power mold type(PMDS) （2) Ultra low VF （3)Very fast recovery

西安交通大学：《电力电子变电技术》Diodes Rectifier diode 1SR154400/1sR154600

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1SR154400/1sR154-600 Diodes Rectifier diode 1SR154400/1sR154600 EXternal dimensions(Units: mm) （1)General purpose rectification （2) Surge absorption

同济大学《机械设计》电子教材：带传动自动张紧图

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同济大学《机械设计》电子教材：带传动自动张紧图

职业学校课程《接触器自锁正转控制》PPT教学设计（郭医军）

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教材分析教法设计学法指导教学过程板书设计

清华大学电子系：《逻辑设计与数字系统》课程教学讲义（数字电子技术基础）第四章时序电路（Sequental Circuits）（4-6）综合设计

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一、综合设计一些用同步时序电路设计技术设计的专用或常用数字电路和系统列示如下: 1.序列识别器。(前述) 例:精确识别序列0010。(即至少一个1后开始检测)

清华大学电子系：《逻辑设计与数字系统》课程教学讲义（数字电子技术基础）第四章时序电路（Sequental Circuits）（4-4）状态分配（State ass i gnment）

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一、状态分配(State assignment) 非常不幸虽然状态分配是重要的,但其处理又是非常棘手的。原因:1.随状态数的增加,可能的分配方案数急剧增大; 2.没有找到一个简单有效的方法从中选择最佳方案

清华大学电子系：《逻辑设计与数字系统——数字电子技术基础》第四章时序电路（Sequental Circuits）（4-3-2）续同步时序电路设计

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状态化简(Reduction of State) 在根据文字描述的设计要求建立原始状态图的过程中,由于状态设置的考虑与方法不同,可能得到多种形式的原始状态图。但只要过程正确,所得的各种形式原始状态图都是正确的,但状态图中的状态数和结构可能存在较大差别

清华大学电子系：《逻辑设计与数字系统》课程教学讲义（数字电子技术基础）第四章时序电路（Sequental Circuits）（4-1）概述

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4.1概述时序电路的定义: 电路任何一时刻的输出值不仅与该时刻输入变量的取值有关,而且与输入变量的输入序列有关,即与输入变量的历史情况有关,我们称之为时序电路例:电梯工作过程