通过本章的学习，将能够： 1. 描述装配和封装的总趋势与设计约束条件； 2. 说明并讨论传统装配方法； 3. 描述不同的传统封装的选择； 4. 讨论7种先进装配和封装技术的优势与限制

通过本章学习，将能够： 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

§１.１ 晶闸管的结构和工作原理 §１-２晶闸管的特性 §１-３晶闸管的主要参数 §１-４大功率二极管 §１-5 散热技术

第一章 半导体器件 第二章 放大电路的基本原理 第三章 放大电路的频率响应 第四章 集成运算放大电路 第五章 放大电路中的反馈 第六章 模拟信号运算电路 第七章 信号处理电路 第八章 波形发生电路 第九章 功率放大电路 第一章 逻辑代数基础 第二章 门电路 第三章 组合逻辑电路 第四章 触发器 第五章 时序逻辑电路 第六章 脉冲产生、整形电路 第七章 数模、模数转换电路

1.喇曼光放大器 Raman optical amplifier 2.掺铒光纤放大器 Erbium doped fiber amplifier 3.半导体光放大器 semiconductor optical amplifier

一、图3-1电子、空穴对的产生 二、图3-2P型半导体的共价键结构

一、固体的能带完全分离的两个氢原子能级

1.六管单元 (1)组成 T1、T3:MOS反相器53 T2、T4:MOS反相器

1.0概述 1.1半导体物理基础知识 1.2PN结 1.3晶体二极管电路分析方法 1.4晶体二极管的应用