4 由于热激发而 产生的自由电子 41●Q{+ 自由电子移走后 而留下的空穴 图3-1电子、空穴对的产生
由于热激发而 产生的自由电子 自由电子移走后 而留下的空穴 图3-1 电子、空穴对的产生
邻近电子只空位 留下可移动空穴 +3)Q(+4)· 可移动的空穴 杂质原电子接受一个 电子成为负离子 ●(+4 图3-2P型半导体的共价键结构
邻近电子只空位 留下可移动空穴 可移动的空穴 杂质原电子接受一个 电子成为负离子 图3-2 P型半导体的共价键结构
+4) +4 杂质原子提供 的多余电子 +51● 杂质原子失去一个 电子成为正离子 +4 +4 +4)● 图3-3N型半导体的共价键结构
杂质原子提供 的多余电子 杂质原子失去一个 电子成为正离子 图3-3 N型半导体的共价键结构
P型区 空间 电荷区 N型区 0○(A,⊕ 0⑨|⊙,,, 0QO|,⊕ 内电场 图3-4PN结的形成
P型区 空间 电荷区 N型区 内电场 图3-4 PN结的形成
F R 21 2 122 271 内电场 内电场 外电场 外电场 图3-5PN结加正向电压 图3-6PN结加反向电压
外电场 1 2 2 1 IF UF 1′2′ 2′ 1′ 内电场 外电场 2 1 1 2 IR UF 2′1′ 1′2′ 内电场 P N P N 图3-5 PN结加正向电压 图3-6 PN结加反向电压
阳极 N型锗片阴极 阳极阴极 引线 引线 引线引线 触丝外壳 阳极引线 P型支持衬底 铝合金 小球 N结 N型硅 金锑合金 NNN底座 阳极aoL°k阴极 阴极引线 图3-7半导体二极管的结构及符号 (a)点接触型;(b)面接触型;(c)平面型;(d)符号
图3-7 半导体二极管的结构及符号 （a）点接触型；（b）面接触型；（c）平面型；（d）符号 阳极 N型锗片 阴极 引线 引线 阳极 阴极 引线 引线 阳极a k阴极 阳极引线 PN结 金锑合金 底座 阴极引线 (a) 触丝 外壳 铝合金 小球 （b） N型硅 P N P型支持衬底 （c） （d） 阳极a k阴极
/mA 20 ip/mA 90℃ 15 10 20℃ 60-40 20 0.4 60℃ 0.20.6 -10 60℃ 20℃ 20 90℃ -30 40 图3-8锗二极管2AP15的伏安特性 图3-9温度对二极管伏安特性的影响
90℃ 20℃ -60℃ iD/mA 20 15 10 5 0 -60 -40 -20 0.2 0.4 0.6 ① uD/V ② ③ -10 -20 -30 -40 iD/A iD/mA uD/V -60℃ 90℃ 20℃ 图3-8 锗二极管2AP15的伏安特性 图3-9 温度对二极管伏安特性的影响
m Al V k a (b) 图3-10稳压管的电气符号与伏安特性 (a)符号;(b)伏安特性
a + - k ΔuZ u Z iZ /m A uZ / V A C i Δ Z O （a） （b） 图3-10 稳压管的电气符号与伏安特性 （a）符号；（b）伏安特性
R ⅤDZ 图3-1简单的稳压电路
RL iO(iL ) R iZ iR uo + - + - VDZ ui 图3-11 简单的稳压电路
c集电极 集电区集电结 基区 发射结 发射区 发射极 e (b) 图3-12三极管的结构与符号 (a)NPN型B结构示意图;(b)NPN型BJT符号;(c)PNP型BJT符号
（a） （b） （c） c集电极 集电结 发射结 N 集电区 P 基区 N 发射区 发射极 e b e c b e c 图3-12 三极管的结构与符号 （a）NPN型BJT结构示意图；（b）NPN型BJT符号；（c）PNP型BJT符号
