作为探测研究半导体深能级缺陷的手段，导纳谱测试方法被逐渐开发拓展，比如测量异质结材料的能带偏移.本文介绍了利用导纳谱测量半导体量子阱的量子限制效应的实验原理方法以及装置系统，并且对一些半导体量子阱样品进行了测量，得到了激活能等实验结果

系统分析:在系统的结构、参数已知的情况下, 计算出它的性能。 系统校正:在系统分析的基础上,引入某些参数 可以根据需要而改变的辅助装置,来改善系统的性 能,这里所用的辅助装置又叫校正装置。 一般说来,原始系统除放大器增益可调外,其结 构参数不能任意改变,有的地方将这些部分称之为“ 不可变部分”。这样的系统常常不能满足要求

图像增强是图像处理的基本内容之一。图像增强是指 按特定的需要突出一幅图像中的某些信息,同时,削弱或 去除某些不需要的信息。这类处理是为了某种应用目的去 改善图像质量,处理的结果更适合于人的视觉特性或机器 识别系统。增强处理并不能增加原始图像的信息,而只能 增强对某种信息的辨识能力,并且这种处理有可能损失一 些其它信息。 图像增强技术主要包括直方图处理、图像点处理、图 像平滑处理、图像锐化处理、伪彩色技术及图像几何处理 等。 图

§ 5.1 平衡PN结 PN结的形成和平衡能带图及自建势 空间电荷区和耗尽近似 泊松方程和电势、电场分布 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的瞬态特性 § 5.3 PN结电容 耗尽电容 扩散电容 § 5.4 PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿

1.磁场为有旋场,不能在全空间引入标势。 2.在电流为零区域引入磁标势可能非单值原因:静电力作功与路径无关,E.di=0引入的电势是单值的;而静磁场庄·di一般不为零,即静磁场作功与路径有关,即使在能引入的区域标势一般也不是单值的

§3.1 动能定理 §3.2 保守力与势能 §3.3 机械能定理 §3.4 碰撞

8.5.1配位场化学 化合物着色的最重要的来源是过渡族元素 (cr,mn,fe,o,Ni)或稀土元素离子(钕、铒、钬 等),它们或出现于固溶体中,或以晶体的固有阳离 子存在。 这些元素在电子占据轨道方面不同于主族元素。如对 于过渡族元素,主要涉及能量很相近的部分添满的3d 轨道(简并能级)

一束平行光照射材料时,一是部分光的能量被 吸收,其强度将被减弱;二是介质中光的传播 速度比真空中小,且随波长而变化产生色散现 象;三是光在传播时,遇到结构成分不均匀的 微小区域,有一部分能量偏离原来的传播方向 而向四面八方弥散开来,即发生散射现象,其 中光的吸收和散射都会导致原来传播方向上的 光强减弱。这些现象与光和物质的相互作用有 更多的联系

5.5半导体材料的电导 5.5.1半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷: 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷,对材料的物理性能、化学 性能产生决定性的影响

熟悉朗肯循环流程图及其能量分析、热效率计算 蒸汽参数对朗肯循环热效率的影响,提高热效率的方法和途径。 回热、再热循环原理及热效率计算 热电循环原理 内燃机、燃气轮机循环原理及其能量分析、热效率计算