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《热力学在冶金中的应用》讲义
文档格式:PPT 文档大小:3.01MB 文档页数:110
1冶金平衡体系热力学分析 化合物的稳定性 1.通用方法:例比较1000K下Al2O3和CaO的相对稳定性。 Al2O3(s)+3Ca(s)=2l(1)+3Ca(s)(9.1-1) 2.用生成反应的标准 Gibbs自由能△G进行比较: 存在一个统一比较标准的问题
西北工业大学:《建筑工程材料——土木工程材料》课程教学资源(课后作业)第五章 向量分析(5-4)第二型空间曲面积分 Gauss公式
文档格式:DOC 文档大小:725.5KB 文档页数:14
第十九讲第二型空间曲面积分 Gauss公式 5-4-1第二型曲面积分 5-4-2 Gauss公式 课后作业: 课后作业: 阅读:第五章第四节:第二型曲面积分pp.165-172 预习:第五章第五节: Gauss公式和 Stokes公式pp.173-181 作业:习题4:pp172--173:1,(2),(3,(4),(6,(8),(10),(12) 习题5:p.181--182:1,(1),(3),(5),(7);2;3,(3) 5-4第二型曲面积分、 Gauss公式 本节专门讨论空间向量场
华东理工大学:《物理化学》课程教学资源(习题解答)第2章 热力学定律和热力学基本方程
文档格式:PDF 文档大小:238.34KB 文档页数:25
1.27℃时,5 moI Nh3(g)由5dm3恒温可逆膨胀至50dm3,试计算 体积功。假设NH3(g)服从范德华方程
添加Al2O3-ZrO2复合粉改性氧化锆质定径水口及其损毁机理
文档格式:PDF 文档大小:8.61MB 文档页数:6
通过添加溶胶-凝胶法制备的Al2O3-ZrO2复合粉,对陶瓷型和颗粒型氧化锆质定径水口进行改性.对比研究了陶瓷型和颗粒型定径水口改性前后物理性能,矿物相组成和显微结构的变化,并通过现场连铸实验对四种定径水口损毁机理进行了探讨.结果表明:相较于颗粒型定径水口,陶瓷型定径水口的显气孔率较低,体积密度和耐压强度较高,热震稳定性较差,抗侵蚀和冲刷性能较好.通过添加Al2O3-ZrO2复合粉改性后的定径水口显气孔率降低,体积密度增加,耐压强度提高,颗粒型定径水口的热震稳定性有了较大的提升,热震次数约为改性前的1.5倍以上.通过对连铸现场实际使用35 h后的残样分析发现,陶瓷型水口损毁主要是由于热震稳定性差导致使用时发生炸裂,炸裂产生的裂纹引起一定程度的剥落和扩径.未改性颗粒型定径水口由于强度低和显气孔率高,剥落和扩径更为严重,添加Al2O3-ZrO2复合粉改性后生成的镁铝尖晶石增强相大幅度提高了颗粒水口的热震稳定性和抗冲刷侵蚀性能,连铸现场使用后几乎未扩径
核壳结构Fe3O4@C粒子在UV-Fenton氧化去除VOCs过程中的吸附-催化作用
文档格式:PDF 文档大小:5.93MB 文档页数:8
采用一步水热法制备核壳结构Fe3O4@C微米粒子,通过比表面积及孔径分析仪、X射线衍射仪、透射电子显微镜、傅里叶变换红外光谱仪等对粒子结构和形貌进行表征,并研究了粒子作为非均相催化剂在UV-Fenton氧化去除挥发性有机物(VOCs)中的作用机制.结果表明,核壳结构Fe3O4@C粒子由于包覆了孔隙状碳层而具有较强的吸附能力,可显著增加VOCs气体分子与Fenton试剂的接触几率,有助于提高VOCs的去除效率.通过计算反应速率常数及协同因子,证实在核壳结构Fe3O4@C粒子去除VOCs的过程中存在吸附-催化氧化协同作用
《腐蚀》 第二部分 金属腐体机理和分类
文档格式:PPT 文档大小:195KB 文档页数:16
在自然界中,大多数金属通常以矿石形式存在,即以化合态形式存在,如铁矿—Fe2O3的形式存在。而铁的腐蚀产物铁锈 的主要成分为Fe2O3。大家都知道炼铁的过程(即Fe2O3→Fe)需 23° 要大量的能量,其相反的是铁的腐蚀过程(即Fe→Fe2O3),这是铁恢复到它的自然状态的过程
不平衡输入三相-单相矩阵变换器电流解耦控制策略
文档格式:PDF 文档大小:3.33MB 文档页数:8
分析了三相-单相矩阵变换器(3-1MC)输入侧低次谐波的产生原因,推导了功率补偿拓扑结构下的输出侧与补偿侧调制函数约束关系式.研究输入电压不平衡下,含电容补偿单元的3-1MC单网侧电流反馈控制策略无法对输入两相旋转坐标轴(dq轴)下的直轴与交轴电流分量实现无静差控制,提出了在功率补偿下对输入三相电流作正序、负序dq轴分解,分别独立对输入双dq轴下正序、负序电流作解耦内环,输出侧与补偿侧电压加权合成为外环的双闭环控制.实验与仿真结果均表明该策略不仅使3-1MC具有功率补偿功能,而且有效抑制了电压不平衡引起的输入电流与输出电压所含低次谐波,提高了3-1MC在单相用电场合的实用性
《芯片制造半导体工艺实用教程》PPT教学课件:第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
《水质分析手册》HZHJSZ00110 水质硝酸盐氮电极流动法
文档格式:PDF 文档大小:18.41KB 文档页数:2
1范围 本方法适用于地面水、饮用水、污水、电子电镀、生化等一般工业废水中NO3N的测 定。 本方法的检出限为0.21mg/LNO3-N。线性测量范围为1.00~1000mg/lno3-n 试验了sO2、pO4、Cr、Br、I、Ac、HCO3、CO32、C2O42、nO2、s2、+、nH4、 A13+、Ca2+、Mg2+、Zn2+、Cu2+、Pb2、Fe2+、Fe+对测定的干扰,其中s2、r明显干扰,Br 大于57倍,NO2大于32倍,C大于250倍时有干扰,其他均无干扰
《水质分析手册》FHZHJSZIS0042 水质硝基苯酚的测定固相萃取气相色谱质谱联用法
文档格式:PDF 文档大小:12.77KB 文档页数:2
1适用范围 本方法适用于饮用水、地下水、地表水中质量浓度大于0.5ug/L的硝基苯酚的测定。包 括2一硝基苯酚、3一硝基苯酚、3一硝基苯酚、4一甲基2一硝基苯酚、3一甲基4一硝基 苯酚、5一甲基2一硝基苯酚、3一甲基—2一硝基苯酚、2,4一二硝基苯酚、2,5一二硝基苯酚、 2,6二硝基苯酚、2,4一二硝基6一甲基苯酚、2,6一二甲基—4硝基苯酚、2,4一二氯一6 一硝基苯酚、2,6一二氯4硝基苯酚
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