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电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 半导体中的电子状态
文档格式:DOC 文档大小:216KB 文档页数:8
例 1. 证明:对于能带中的电子,K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一篇 半导体中的电子状态
文档格式:PPTX 文档大小:561.04KB 文档页数:32
重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 重 点 之 二:Ge、Si和GaAs的能带结构 重 点 之 三:本征半导体及其导电机构、空穴
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四篇 载流子的漂移运动迁移率
文档格式:PPTX 文档大小:296.97KB 文档页数:26
一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想载流子 定向运动,即漂移运动。 结论:在严格周期性势场(理想)中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度,其漂移速度应越来越大
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二篇 半导体中的杂质和缺陷能级
文档格式:PPTX 文档大小:466.13KB 文档页数:35
1、杂质与杂质能级 杂质:半导体中存在的与本体元素不同的其它元素杂质出现在半导体中时,产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(试卷习题)半导体题解
文档格式:DOC 文档大小:232.5KB 文档页数:22
第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征
电子科技大学应用数学学院:《数学建模》第二章 数学与现实世界(2-2)建模艺术(徐全智)
文档格式:PPT 文档大小:69KB 文档页数:5
一、建模模式千差万别,无法归纳出普遍的准则与技巧 二、建立一个数学模型和求解一道数学题目有极大差别
电子科技大学应用数学学院:《数学建模》第三章 建模方法论(3-4)建立数学模型(徐全智)
文档格式:PPT 文档大小:108KB 文档页数:21
数学模型的建立与建模目的密切相关 几类常见建模目的: 1. 描述或解释现实世界的 各类现象(常采用机理分析的方法,探索研究对象的内在规律性);
电子科技大学应用数学学院:《数学建模》第三章 建模方法论(3-5)求解数学模型(徐全智)
文档格式:PPT 文档大小:204.5KB 文档页数:15
一、涉及不同数学分支的知识,同时还需借助与背景知识. 二、针对现实问题建立的数学模型,往往仅可求数值解. 三、有类问题可采用分析法得到问题的实际解答(如微分方程定性分析)
电子科技大学应用数学学院:《数学建模》第三章 建模方法论(3-2)问题分析(徐全智)
文档格式:PPT 文档大小:94KB 文档页数:13
一、问题的前期分析 包括: 二、明确问题、分析条件、分析数据 三、为什么问题前期分析至关重要?
电子科技大学应用数学学院:《数学建模》第四章 量纲分析建模法(徐全智)
文档格式:PPT 文档大小:122.5KB 文档页数:12
在数学的应用中,需处理的往往不是“纯粹的” 数,而是反映事物某一特性的度量. 用数加单位来表示具体度量; 用量纲的概念来表示被度量的特性. 量纲分析法是一种有效的物理建模方法
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