1．碱金属原子的 Hamiltonian 碱金属原子有一个价电子，它在原子实（原子核加上内层满壳电子）的影响下运动，所受到的势场 可以用一个屏蔽 Coulomb 场 V r( ) 来描写

3.1 电子轰击源（Electron impact ionization,EI） 3.2 化学电离源（Chemical ionization source, CI） 3.3 场致和场解吸电离源（FI & FD) 3.4 快原子轰击源( Fast atom bombardment, FAB)和液体二次离子质谱 （Liquid secondary ion mass spectrometry, LSIMS） 3.5大气压电离（Atmospheric pressure ionization, API） 3.6 基质辅助激光解吸电离（Matrix assisted laser desorption ionization, MALDI) 3.7 无机质谱电离源 3.8 二次离子质谱(Second ion mass spectrometry, SIMS)

 1 矢性函数  2 矢性函数的导数与微分  3 矢性函数的积分  4 场的基本知识  5 哈密尔顿算子  6 正交曲线坐标系

5.3 Junction FET 5.1 Metal Oxide Semiconductor FET 5.2 MOSFET Amplifiers 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 -FET Amplifiers 5.0 Introduction to FET

4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

• 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数

1.碱金属原子的 Hamiltonian 碱金属原子有一个价电子,它在原子实(原子核加上内层满壳电子)的影响下运动,所受到的势场 可以用一个屏蔽 Coulomb场V(r)来描写。所以在不考虑电子自旋的情况下,碱金属原子的 Hamiltonian 是

耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在。 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道

用数学模拟对马钢一钢厂圆坯连铸结晶器(断面尺寸为φ450mm)电磁搅拌过程进行了研究,找出变化规律,确定合理的工艺参数,优化结晶器流场．电磁搅拌过程的计算结果表明：磁场强度随搅拌频率减小、搅拌电流增大而增大；电流强度不改变磁场分布；在结晶器高度方向上磁场分布呈现中间大两端小的特征,流场在搅拌力作用下更趋于合理．最佳搅拌工艺参数为：搅拌电流350A,频率2Hz．

一.法拉第电磁感应定律 二.动生电动势 三.感生电动势 1.导体回路不动,由于磁场变化产生的感应电动势叫感生电动势