一、掌握并能熟练应用法拉第电磁感应定律和楞次定律来计算感应电动势,并判明其方向. 二、理解动生电动势和感生电动势的本质.了解有旋电场的概念。 三、了解自感和互感的现象,会计算几何形状简单的导体的自感和互感。 四、了解磁场具有能量和磁能密度的概念,会计算均匀磁场和对称磁场的能量。 五、了解位移电流和麦克斯韦电场的基本概念以及麦克斯韦方程组(积分形式)的物理意义

第一节 能量代谢 (energy metabolism) 第二节 体温及其调节

第一节 能量代谢 (energy metabolism) 第二节 体温及其调节

作为探测研究半导体深能级缺陷的手段，导纳谱测试方法被逐渐开发拓展，比如测量异质结材料的能带偏移.本文介绍了利用导纳谱测量半导体量子阱的量子限制效应的实验原理方法以及装置系统，并且对一些半导体量子阱样品进行了测量，得到了激活能等实验结果

系统分析:在系统的结构、参数已知的情况下, 计算出它的性能。 系统校正:在系统分析的基础上,引入某些参数 可以根据需要而改变的辅助装置,来改善系统的性 能,这里所用的辅助装置又叫校正装置。 一般说来,原始系统除放大器增益可调外,其结 构参数不能任意改变,有的地方将这些部分称之为“ 不可变部分”。这样的系统常常不能满足要求

图像增强是图像处理的基本内容之一。图像增强是指 按特定的需要突出一幅图像中的某些信息,同时,削弱或 去除某些不需要的信息。这类处理是为了某种应用目的去 改善图像质量,处理的结果更适合于人的视觉特性或机器 识别系统。增强处理并不能增加原始图像的信息,而只能 增强对某种信息的辨识能力,并且这种处理有可能损失一 些其它信息。 图像增强技术主要包括直方图处理、图像点处理、图 像平滑处理、图像锐化处理、伪彩色技术及图像几何处理 等。 图

§ 5.1 平衡PN结 PN结的形成和平衡能带图及自建势 空间电荷区和耗尽近似 泊松方程和电势、电场分布 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的瞬态特性 § 5.3 PN结电容 耗尽电容 扩散电容 § 5.4 PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿

1.磁场为有旋场,不能在全空间引入标势。 2.在电流为零区域引入磁标势可能非单值原因:静电力作功与路径无关,E.di=0引入的电势是单值的;而静磁场庄·di一般不为零,即静磁场作功与路径有关,即使在能引入的区域标势一般也不是单值的

§3.1 动能定理 §3.2 保守力与势能 §3.3 机械能定理 §3.4 碰撞

8.5.1配位场化学 化合物着色的最重要的来源是过渡族元素 (cr,mn,fe,o,Ni)或稀土元素离子(钕、铒、钬 等),它们或出现于固溶体中,或以晶体的固有阳离 子存在。 这些元素在电子占据轨道方面不同于主族元素。如对 于过渡族元素,主要涉及能量很相近的部分添满的3d 轨道(简并能级)