对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

1、学习简单参数测量的实现方法。 2、了解光标和参数指示器的作用

第一节 单糖 第二节 双糖 双糖 构型和开链结构 变旋光现象和环状结构 单糖的性质

2.5.1 稳压二极管 2.5.2 变容二极管 2.5.3 光电子器件 1. 光电二极管 2. 发光二极管 3. 激光二极管

一种将辐射能转换成电信号的器件,其作用是发现信号、测量信号,为随后的应用提供信息

经典物理，以牛顿为代表，认为光是波。 19世纪末，出现了一系列有关光的实验 ，无法用光的波动理论解释。经典物理 受到严峻的挑战！光电效应是其中一个 典型的代表。 光照射在金属表面时，金属表面会有电 子射出——称为光电效应

一、紫外可见吸收光谱 二、光的吸收定律 三、紫外可见分光光度计 四、紫外-可见分光光度法的应用

研究物质在紫外、可见光区的分子吸收 光谱的分析方法称为紫外可见分光光度法。 紫外一可见分光光度法是利用某些物质的 分子吸收200~800nm光谱区的辐射来进行分 析测定的方法。 这种分子吸收光谱产生于价电子和分子轨 道上的电子在电子能级间的跃迁广泛用于无 机和有机物质的定性和定量测定。 2.1 分子吸收光谱的产生 2.2 有机化合物的电子光谱 2.2 有机化合物的电子光谱 2.4 定量分析 2.5 实验技术

1.半导体的导电特性 (1)掺杂特性。 (2)热敏和光敏特性

一、建立新概念。 二、确立新的分析方法。 三、重点在于课堂听讲，再加预习、复习