一、机电传动系统的运动方程式； 二、多轴传动系统中转矩折算的基本原则和方法； 三、了解几种典型生产机械的负载特性； 四、了解机电传动系统稳定运行的条件以及学会分析实际系统的稳定性

第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应

一、热平衡 二、热平衡时非简并半导体载流子浓度的计算 三、本征半导体载流子浓度的计算 四、杂质半导体载流子浓度的计算 五、简并半导体载流子浓度的计算

一、半导体中电子状态和能带 二、半导体中电子的运动和有效质量 三、半导体中载流子的产生及导电机构 四、半导体的能带结构

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 重 点 之 二:Ge、Si和GaAs的能带结构 重 点 之 三:本征半导体及其导电机构、空穴

一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想载流子 定向运动,即漂移运动。 结论:在严格周期性势场(理想)中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度,其漂移速度应越来越大

1、杂质与杂质能级 杂质:半导体中存在的与本体元素不同的其它元素杂质出现在半导体中时,产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征