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电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(重点和难点)
文档格式:DOC 文档大小:25.5KB 文档页数:2
第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 半导体中的载流子在电磁场中的运动
文档格式:PPTX 文档大小:1.07MB 文档页数:84
一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第三章 热平衡态下半导体载流子的统计分布
文档格式:PPTX 文档大小:519.31KB 文档页数:52
一、热平衡 二、热平衡时非简并半导体载流子浓度的计算 三、本征半导体载流子浓度的计算 四、杂质半导体载流子浓度的计算 五、简并半导体载流子浓度的计算
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 半导体中的电子状态
文档格式:PPTX 文档大小:825.18KB 文档页数:61
一、半导体中电子状态和能带 二、半导体中电子的运动和有效质量 三、半导体中载流子的产生及导电机构 四、半导体的能带结构
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 半导体中的电子状态
文档格式:DOC 文档大小:216KB 文档页数:8
例 1. 证明:对于能带中的电子,K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一篇 半导体中的电子状态
文档格式:PPTX 文档大小:561.04KB 文档页数:32
重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 重 点 之 二:Ge、Si和GaAs的能带结构 重 点 之 三:本征半导体及其导电机构、空穴
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四篇 载流子的漂移运动迁移率
文档格式:PPTX 文档大小:296.97KB 文档页数:26
一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想载流子 定向运动,即漂移运动。 结论:在严格周期性势场(理想)中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度,其漂移速度应越来越大
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二篇 半导体中的杂质和缺陷能级
文档格式:PPTX 文档大小:466.13KB 文档页数:35
1、杂质与杂质能级 杂质:半导体中存在的与本体元素不同的其它元素杂质出现在半导体中时,产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(试卷习题)半导体题解
文档格式:DOC 文档大小:232.5KB 文档页数:22
第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征
电子科技大学应用数学学院:《数学建模》第二章 数学与现实世界(2-2)建模艺术(徐全智)
文档格式:PPT 文档大小:69KB 文档页数:5
一、建模模式千差万别,无法归纳出普遍的准则与技巧 二、建立一个数学模型和求解一道数学题目有极大差别
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