物理常数:光速:c=2.998×108ms-1:普朗克常数:h=6626×103J·s;玻尔兹曼 常数:k2=1.381×10-23J/K:电子质量:m2=9.109×10-kg:碳原子质量 m=12u=2007×10-°kg;电子电荷:e=1.602×10C 1)物质波(30分):1924年,德布洛意提出物质波概念,认为任何实物粒子,如电子 质子等,也具有波动性,对于具有一定动量p的自由粒子,满足德布洛意关系

采用简单工艺,制备出以8%Y2O3(摩尔分数)稳定的ZrO2为固体电解质,La0.8Sr0.2CoO3混合导体材料为扩散障碍层的极限电流型氧传感器.该传感器能够很好地给出全范围空燃比的极限电流平台,与小孔或多孔极限电流型传感器相比,具有结构简单、响应快、工作可靠、成本低廉等优点

采用电化学交流阻抗谱法研究了Na3AlF6(冰晶石)-Al2O3熔盐体系的总电导以及CaO加入对其电性能的影响.根据测得的阻抗谱,提出了等效电路,用EvolCRT电化学软件对阻抗数据进行了拟合.获得了Na3AlF6-Al2O3体系电导率随温度及Al2O3浓度变化的数学关系.CaO加入使得体系电导率增加

一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号

基于热动力学理论,通过对演化方程的线性稳定分析,确定了1-3型BaTiO3-CoFe2O4(BTO-CFO)多重铁性复合材料中的铁电、铁磁相变温度.考虑系统中基底与薄膜之间及薄膜内铁电相、铁磁相之间的内应力和外应力的弹性耦合,确立了顺电到铁电/铁磁地相变临界温度地解析式.临界温度与两相体积分数、基底、薄膜的晶格尺寸、薄膜两相的材料性能及薄膜厚度都有很大关系.两相的相变临界温度可以通过调节体积分数及薄膜厚度进行控制

一、元器件、设备 直流稳压电源(0~30V)1个插件板2块 导线18条(长14)连接片10个 数字万用表DM-441B1台 一号千电池2个电阻100、200Ω、 150Ω、300Ω、390Ω、510Ω各1个 电流源模块1个电阻箱1个(ZX36型)

9.1 门电路 9.1.1 模拟电路与数字电路的区别 9.1.2 基本门电路 9.1.3 复合门电路 9.1.4 集成门电路 9.2 组合逻辑电路分析基础 9.2.1 计数制与代码 9.2.2 逻辑函数的化简 9.2.3 组合逻辑电路 9.3 编码器 9.4 译码显示电路 9.5 数值比较器和数据选择器

利用有限元软件ANSYS对软接触电磁连铸结晶器内磁场进行三维数值模拟,分析了结晶器内钢液面高度对磁场及电磁力分布的影响.结果表明:钢液使得磁感应强度集中在钢液的侧表面;当钢液面低于线圈上沿时,钢液中磁感应强度的最大值出现在钢液上表面附近,并沿拉坯方向逐渐递减;当钢液面高于线圈上沿时,随着钢液面的升高磁感应强度的最大值向线圈中部移动;钢液侧表面所受电磁力的分布趋势与磁感应强度的分布趋势基本一致

用研制的Mg2SiO4(s)+MgO(s)硅传感器,对高碳冶金熔液中的硅进行了测量,发现辅助电极的物相结构和熔体中的氧含量对测量结果有明显的影响.首先提出了辅助电极型传感器的物理模型,导出了辅助电极的局域平衡氧势与熔体氧势和硅传感器测量结果的关系式,给出了覆盖常数和结构常数的物理意义.用实验数据拟合得到了该传感器的结构常数为6.66;用该模型对小于1的不同覆盖常数的硅传感器测得同一熔体的氧势进行了校正,得到了一致的局域平衡氧势值,证明了模型与实际吻合得相当好

一、组合逻辑电路的实验 1、电路设计 例一：设计一个由与非门或数据选择器或 3/8 译码器组成的裁判表决电路， 该电路有如下功能：有 A、B、C 三名裁判，其中 A 为主裁判，B、C 为副裁判