放大器基础知识 共源级 —电阻做负载 共源级 —二极管接法的MOS 管做负载 共源级 —电流源做负载 共源级－深线性区MOS管做负载 共源级－带源极负反馈

噪声的统计特性 噪声谱（频域） 幅值分布（时域） 相关噪声源和非相关噪声源 噪声的类型 热噪声 闪烁噪声 电路中噪声的表示 单级放大器中的噪声 共源、共栅、共漏、共源共栅 差分对中的噪声 噪声带宽

基本概念基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等

10.1 概述 10.2 多极点系统 10.3 相位裕度 10.4 频率补偿 10.5 两级运放的补偿 10.5.1 两级运放中的压摆率限制 10.6 其他补偿技术

概述 反馈电路特性 放大器的种类 检测和返回机制 反馈结构 电压－电压反馈 电流－电压反馈 电压－电流反馈 电流－电流反馈 负载的影响 二端口网络模型 电压－电压反馈中的负载 电流－电压反馈中的负载 电压－电流反馈中的负载 电流－电流反馈中的负载 负载影响小结 反馈对噪声的影响

9.1 概述 9.1.1 性能指标 9.2 一级运放 9.3 两级运放 9.4 增益的提高 9.5 性能比较 9.6 共模反馈 9.7 输入范围限制 9.8 转换速率 9.9 电源抑制 9.10 运放的噪声

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

一、设计条件 1、生产能力:吨/日二级酒精 2、原料:乙醇含量29.8(W)的粗馏冷凝液,以乙醇一一水二元系为主; 3、采取直接蒸汽加热: 4、采取泡点进料: 5、馏出液中乙醇含量>95%(V),并符合二级酒精标准: 6、釜残液中乙醇含量不大于0.2%(W): 7、四级酒精(含乙醇为95%(V)其它无要求的产出率为二级酒精的2%; 8、塔顶温度78℃,塔底温度100-104℃; 9、塔板效率0.3-0.4或更低;

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