一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

1范围 本方法等效采用国际标准ISO7393/21985水质游离氯和总氯的测定一第2部分:N, N一二乙基一1,4一苯二胺比色法,常规控制用 本方法适用于0.00040.07mmol/L(0.03~5mg/L游离氯或总氯(以C计)的测定样品浓度 较高时,需进行稀释

1范围 本方法等效采用国际标准ISO7393/I1985质游离氯和总氯的测定第一部 分:N,N一二乙基一1,4一苯二胺滴定法 本方法适用于0.0040.07mmol/L(0.03~5mg/)游离氯或总氯(以Cl计)的测定。样品浓 度较高时,需进行稀释

水质苯胺类化合物的测定一N(1萘基)乙二胺偶氮分光光度法 1范围 本方法规定了测定水中苯胺类化合物的N一1一萘基)乙二胺重氮偶合比色法。 本方法适用于地面水、染料、制药等废水中芳香族伯胺类化合物的测定

水质一铵的测定一水杨酸分光光度法 本方法等效采用ISO7150/11984《水质一铵的测定一第一部分手动分光光度法 本方法根据我国标准的格式对ISO7150/11984标准作了部分修改,删略了1S07150/1 1984中第11章的《步骤的注解》和第12章的《实验报告》 本方法与ISO7150/1984标准技术上的差异为: a.本方法用次氯酸钠溶液代替ISO7150/1984标准中使用的N,N一二氯代一1,3,5 一三氮杂苯2,4,6(1H,3H,5H,)三酮钠盐,--dichloro--l,,5- -triazine--2,4,6(1h,3h,5H,) -trione, strione, sodium salt,又名二氯异三聚氰酸钠(sodium, dichloroisocyanurate)作为显色 剂之一

例1.某p型半导体掺杂浓度NA=10cm3少子寿命=10us在均匀光的照射下产 生非平衡载流子,其产生率g=1018/cm3·s试计算室温时光照情况下的费米能级 并和原来无光照时的费米能级比较。设本征载流子浓度=1010cm-3 p. =N, =n, exp(-EE) 思路与解:(1)无光照时空穴浓度