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粉末冶金静电模壁润滑中复合润滑剂的静电荷电与润滑特性
文档格式:PDF 文档大小:449.93KB 文档页数:4
实验研究了在粉末冶金静电模壁润滑技术中复合润滑剂——50%EBS蜡+50%石墨,50%EBS蜡+50%BN(质量分数)的静电荷电与润滑特性.结果表明:BN的加入能改善EBS蜡的荷电性能,而石墨的加入却使其变差;50%EBS蜡+50%石墨混合粉润滑效果极好,能获得相当高的压坯密度,而50%EBS蜡+50%BN混合粉的效果却要差得多;模具温度为150℃(超过EBS蜡熔点)时,50%EBS蜡+50%E墨混合粉润滑效果变差,而50%EBS蜡+50%BN混合粉则影响不大
荆门职业技术学院:《Visual FoxPro 6.0程序设计》课程教学资源(PPT课件)第四章 数据的检索、统计与多工作区操作
文档格式:PPT 文档大小:291.5KB 文档页数:50
第4章数据的检索统计与多工作区操作 学习要点 1、数据的分类和索引; 2、记录的查找定位; 3、数据的统计和计算; 4、多工作区操作
硅锰合金电阻法定硅
文档格式:PDF 文档大小:457.69KB 文档页数:5
根据准二元合金随其中某种合金元素含量的不同,其合金电阻率发生单值变化的规律,提出了一项硅锰合金电阻法定硅的检测技术.实验结果表明,硅锰合金中硅含量与电阻率变化的关系可表示为[Si%]=-12.51+2×107ρ-4×1012ρ2,当合金中硅的质量分数小于6%时,合金中锰铁比对其电阻率变化的影响不大,定硅误差为0.005%~0.178%.用于电阻率测量的合金样品适合的尺寸为φ6.00~6.50mm、长1cm左右,可以避免试样中夹渣、裂隙等缺陷对电阻测量精度的影响
宣钢单喷镁铁水脱硫技术应用与实践
文档格式:PDF 文档大小:240.27KB 文档页数:4
介绍了宣钢炼钢厂采用单喷颗粒镁铁水脱硫工艺,改善了转炉冶炼原料铁水条件,同时对镁在铁水中的脱硫机理作了简要的叙述.该工艺在生产实践中不断优化,使铁水经过预处理后终点硫均达到0.010%(质量分数)以下,最低终点硫含量达到0.003%,满足了炼钢铁水要求
《微型计算机原理与接口技术》课程PPT教学课件:第1章 微型计算机基础知识
文档格式:PPT 文档大小:329KB 文档页数:43
【本章重点】微型计算机的组成和各部分的作用,以及计算机中数的表示方法。【本章难点】计算机中数的表示方法:原码、反码、补码的关系
微弧氧化对7050铝合金腐蚀行为的影响
文档格式:PDF 文档大小:8.82MB 文档页数:8
采用微弧氧化(MAO)技术在7050铝合金表面制备了陶瓷膜层,运用扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)表征陶瓷膜微观结构,采用动电位极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)和慢应变速率拉伸试验(SSRT)研究了微弧氧化膜对7050铝合金在3.5%(质量分数) NaCl水溶液中腐蚀和应力腐蚀开裂(SCC)行为的影响.结果表明:微弧氧化膜层由表面疏松层与内部致密层组成,表面疏松层主要由Al2O3组成,内部致密层由氧化铝与铝烧结而成.微弧氧化膜层可以有效抑制7050铝合金表面的腐蚀萌生及明显降低腐蚀速率,且使7050铝合金的应力腐蚀敏感性出现显著下降
咸宁职业技术学院:《概率与统计》课程教学资源_习题5-5
文档格式:DOC 文档大小:41KB 文档页数:2
1、(火柴盒问题)波兰数学家巴拿赫(Banach)随身带着两盒火柴,分别放在左右 两个衣袋里,每盒有 n 根火柴.每次用时,便随机地从其中一盒中取出一根.试求他发现 其中一盒已空,而另一盒中剩下的火柴根数的分布律
大连理工大学应用数学系:《组合数学讲义》PDF电子书(共十章)(南基洙)
文档格式:PDF 文档大小:1.6MB 文档页数:143
组合数学是一门历史悠久的数学分支,它发源于数学的消遣和游戏.不管是为了消遣,还是为了数学的 美学兴趣,过去研究过的许多组合数学问题,对于今天的纯粹数学或应用数学来说都是非常重要的.特别是 随着数字计算机技术的飞速发展,组合数学更成为现代数学中非常重要的一个研究分支,而且它的影响正 在迅速扩大
湖南软件职业技术学院:《C语言程序设计》第十三章 文件(危孟君)
文档格式:PPT 文档大小:315KB 文档页数:18
文件:存储在外部介质上数据的集合,是操作系统数据管理的单位使用数据文件的目的 1、数据文件的改动不引起程序的改动——程序与数据分离 2、不同程序可以访问同一数据文件中的数据——数据共享
清华大学:《单片机原理与应用技术》课程教材电子教案(期复习资料)
文档格式:DOC 文档大小:56KB 文档页数:5
第一章 1-3:单片机与普通计算机的不同之处在于其将( )( )和( )三部分集成于一块芯片上。 答:CPU、存储器、I/O 口 1-8:8051 与 8751 的区别是: A、内部数据存储但也数目的不同 B、内部数据存储器的类型不同 C、内部程序存储器的类型不同 D、内部的寄存器的数目不同
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