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1、解: (1) P{只订购 A 的}=P{A(B∪C)}=P(A)-{P(AB)+P(AC)-P(ABC)}=0.45-0.1.-0.08+0.03=0.30. (2) P{只订购 A 及 B 的}=P{AB}-C}=P(AB)-P(ABC)=0.10-0.03=0.07 (3) P{只订购 A 的}=0.30
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Strain energy and potential energy of a beam brec sedans hoMe the neutra xxis remain So Figure 1: Kinematic assumptions for a beam Kinematic assumptions for a beam: From the figure: AA'=u3(a1) Assume small deflections: B B\,BB\=3+ duy
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11.1 单总线串行扩展 11.1.1 单总线系统的典型应用-DS18B20的温度测量系统 11.1.2 单总线DS18B20温度测量系统的设计 11.2 SPI总线串行扩展 11.3 I2C总线的串行扩展 11.3.1 I2C串行总线系统的基本结构 11.3.2 I2C总线的数据传送规定 11.3.3 AT89S52的I2C总线系统扩展 11.3.4 I2C总线数据传送的模拟 11.3.5 利用I2C总线扩展E2PROM AT24C02的IC卡设计
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1. 从 2 到 11 的十个整数中任意地选一个,设:A={所选的数为奇数},B={所 选的数为质数},C={所选的数为 3 的倍数}. (1)写出事件 AB,并求其概率; (2)写出事件 A-B,并求其概率.
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采用Sn-2.5Ag-2.0Ni焊料钎焊了具有Ni(P)/Ni(B)和Ni(P)/Ni两种双镀层结构的SiCp/Al复合材料.结果表明,SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)和SnAgNi/Ni/Ni(P)两种接头均生成唯一的金属间化合物Ni3Sn4.SnAgNi焊料与Ni(B)镀层之间的快速反应速度使Ni3Sn4金属间化合物具有高的生长速度.时效初期的SnAgNi/Ni/Ni(P)接头的剪切强度高于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头,但在250h时效后其剪切强度剧烈下降,低于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头.金属间化合物的生长及裂纹的形成是SnAgNi/Ni/Ni(P)接头失效的主要原因,而SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头失效的主要原因是Ni(P)镀层中Ni原子的定向扩散使SiCp/Al复合材料与Ni(P)处产生孔洞
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一.隐函数存在定理 1.设函数F(x,y)满足 (1)在区域D:x-a≤x≤x+a,y-b≤y≤y+b上连续 (2)F(x,y)=0 (3)当x固定时,函数F(x,y)是y的严格单调函数 则可得到什么结论?试证明之
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1 Computer Abstractions and Technology 2 2 Instructions: Language of the Computer 74 3 Arithmetic for Computers 222 4 The Processor 298 5 Large and Fast: Exploiting Memory Hierarchy 450 6 Storage and Other I/O Topics 568 7 Multicores, Multiprocessors, and Clusters 630 A Graphics and Computing GPUs A-2 B Assemblers, Linkers, and the SPIM Simulator B-2 The Basics of Logic Design C-2 Mapping Control to Hardware D-2
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形体表面的相贯线,情况比截交线要复杂得多。如 图(a)、(b)所示,两个形体都是在水平放置的圆柱上 垂直打孔,不同之处仅仅是:图(a)的形体其孔轴线与 水平圆柱的轴线垂直相交,而图(b)的形体其孔轴线向 前偏移一段距离,与水平圆柱的轴线垂直交叉
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1无穷限的广义积分 定积分f(x)dx有两个明显的缺陷:其一,积分区间a,b是有限区间;其二,若f∈Rab,则 3>0,使得对于任意的x∈[a,b],f(x)M(即有界是可积的必要条件)
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§14-1 过渡元素的通性 1-1. 过渡元素的价电子层结构. 1-2. 过渡元素的原子半径和电离势. 1-3. 过渡元素的氧化态. 1-4. 单质的性质 1-5. 过渡元素氧化物的酸碱性. 1-6. 过渡元素水合离子的颜色. 1-7. 过渡元素的配位性质 1-8. 过渡金属及其化合物的磁性. §14-2 钛、钒 §14-3 铬、钼、钨 §14-4 锰 §14-5. 铁、钴、镍
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