（1）叠加定理齐性定理 （2）置换定理 （3）等效电源定理 （4）最大功率传输定理 （5）特勒根定理 （6）互易定理

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

实验一 转速测量实验. 1 实验二 重量测量实验. 4 实验三 温度测量实验. 9 （选 做） 实验四 位移测量实验. 13 实验五 振动测量实验. 19 实验六 热电偶冷端温度补偿实验. 25 实验七 气敏传感器实验. 27 实验八 压力测量实验. 29 附录一 实验台使用说明. 32 附录二 调节仪使用说明. 34

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件

10.1脉冲信号与脉冲电路 10.2集成门构成的脉冲单元电路 10.3555定时器及其应用

§3.1 场效应管 §3.2 场效应管放大电路静态工作点置计方法 §3.3 场效应管放大电路动态分析

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

一、单项选择(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 1.若要求放大电路输入电阻低,且稳定输出电流,在放大电路中应引入的负反馈类型为

1.1 信号 1.3 模拟信号和数字信号 1.2 信号的频谱 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标