5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

问题1、高斯面只包围了部分电荷,求出的场强是这 部分电荷的场强还是整根均匀带电直线的场强? 问题2、对于一段有限长均匀带电直线段,能否用该方法 求其场强?

§1 经典力学时空观 伽利略变换 §2 爱因斯坦假设 狭义相对论时空观

1.1 电荷 1.2 库仑定律与叠加原理 1.3 电场和电场强度 1.4 静止的点电荷的电场及其叠加 1.5 -6 电通量 高斯定理 1.7 利用高斯定理求静电场的分布

8-1电量都是q的三个点电荷,分别放在正三角形的三个顶点.试问:(1) 在这三角形的中心放一个什么样的电荷,就可以使这四个电荷都达到平 (即每个电荷受其他三个电荷的库仑力之和都为零)?(2)这种平衡与三角形 的边长有无关系?

第24章光的量子理论 24—1普朗克量子假说 24—2爱因斯坦的光子学说 第25章玻尔的原子量子理论 25—1氢原子光谱的实验规律 25—2玻尔氢原子量子论 25—3玻尔氢原子理论

4)可以证明:厄米算符的本征矢满足完备性条件, ∑|)(l=1 或∫d)(|=1 或∑1+」d1f=1 构成H语ert空间的一组正交归一的基矢。 5.两组基矢之间的变换(表象变换) 正如在3维空间中可选择直角坐标系,也可以选择球坐标系、柱坐标系一样

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

1-1 光源 光的相干性 1-2 光程 光程差 1-3 分波前双光束干涉 一 杨氏双缝干涉 二 分波前干涉的其它一些实验 一 光程 二 光程差 三 成象的等光程性 四 半波损失 一 光源 二 光波的描述 三 光的相干性 四 获得相干光的方法

§1.1 电路的基本概念 1.1.1 电路的物理量 1.1.2 电路元件 (一) 无源元件 (二) 有源元件 §1.2 电路的基本定律 1.2.1 欧姆定律 1.2.2 克希荷夫定律 (一) 克氏电流定律（KCL） (二) 克氏电压定律（KVL）