1二阶主导极点(模态)附近的零点 当我们増加一个PD控制器时,通常会出现这种情况 S+1 s+250s+0 如果A≈-1,且a≈0,则c(s)就是标准的二阶响应 距离较远的零点,其影响可以忽略

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当碳间隙式地溶解在y-Fe中,形成奥氏体时,可将 奥氏体的晶体结构看成为由fcc点阵、八面体间隙点阵交叉 配合组成,在fcc晶体结构中Fe原子数4个、八面体间隙位 置4个,当碳全部填满八面体间隙位置,C原子数4个,合 金成分为FeC(a=c=1),若碳原子含量低,没有全部占 据满八面体间隙,则认为合金为FeC+FeV混合而成,此外 V代表空位,这种混合造成C与V在亚点阵中的无序

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重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 重 点 之 二:Ge、Si和GaAs的能带结构 重 点 之 三:本征半导体及其导电机构、空穴

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1.k-(点,面,边)着色,k-(点,面,边)色图,点色数x(G),面色数x*(G),边色数x(G) 2.x(G)上界, Brooks定理 3.五色定理 4. Vizing定理 5.色多项式f(G,k)

1. 正确理解放大电路主要性能指标的意义。 2. 掌握直流工作点的设置方法及其稳定的意义；会画放大电路的直流通路；掌握直流工作点的调节方法；能够熟练地估算直流工作点

集成运放是一种多级放大电路， 性能理想的运放应该具有电压增益高、 输入电阻大、 输出电阻小、 工作点漂移小等特点。 与此同时， 在电路的选择及构成形式上又要受到集成工艺条件的严格制约。 因此， 集成运放在电路设计上具有许多特点， 主要有： (1) 级间采用直接耦合方式。 (2) 尽可能用有源器件代替无源元件。 (3) 利用对称结构改善电路性能