4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

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一、填空题(每空1分,共15分) 1.政府间事权划分、政府间①()划分和政府间②()构成了政府间财政关系的主要内容。在政府间事权划分方面,宏观经济稳定方面的事权一般划归③()政府,再分配方面的事权一般划归④()政府,而在提供公共服务方面,⑤()政府更适合于发挥文要作用。 2.依照预算年度的起止时间不同,可以将其分为①()制和②()制两种财政年度

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先寻找斜裂和水平裂,分开肺叶,再以各叶内的管道 确定肺段。肺静脉段间支是段间裂的标志。 1、右肺上叶尖段静脉(V1)的下支分S1和S3。后段静 脉(V2)分V1和V2及V2和V3。 2、右肺中叶V4的段间支分开S4和S5。 3、左、右肺下叶V6有上支、内侧支和外侧支,内、外 侧支为段间支,可区分上段和各底段。各底段上位层 面,以各底段静脉的高位属支(段间支)区分;在下 位层面,以“无血管区”作为分段标志

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