• 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 3.5.1 温度对工作点的影响 3.5.2 射极偏置电路

• 反馈 • 电路中的反馈形式 • 类型 • 四种组态的判断方法 7.1.1 基本概念 7.1.2 四种类型的反馈组态 • 各种反馈类型的特点 • 信号源对反馈效果的影响

• 提高增益的稳定性 • 减少非线性失真 • 扩展频带 • 对输入电阻和输出电阻的影响 • 为改善性能引入负反馈的一般原则 • 分析负反馈放大电路的一般步骤

• 深度负反馈的特点 • 各种反馈组态的近似计算 7.4.1 深度负反馈条件下的近似计算 • 举例 *7.4.2 小信号模型分析法 （不做要求，自看）

一、逻辑代数基础 二、组合逻辑电路 三、常用集成时序逻辑器件及应用 四、脉冲波形的产生与变换 五、存储器和可编程逻辑器件 六、集成逻辑门 七、触发器 八、时序逻辑电路 九、用VHDL进行数字系统设计

7.2.1 负反馈放大电路的方框图 7.2.2 负反馈放大电路增益的一般表达式 • 环路增益 • 反馈深度 • 表达式推导 • 构成 • 信号的单向化传输 • 考虑反馈网络的负载效应和输入效应

一、传统的硬件设计方法 二、传统的设计方法是自下而上的设计方法 三、采用通用的元器件 四、后期进行仿真，浪费大，设计周期长 五、主要设计文件是电路原理图，可读性差，文件量大

• 直接耦合放大电路 • 零点漂移 • 电路组成及工作原理 • 抑制零点漂移原理 6.2.0 概述 6.2.1 基本差分式放大电路 6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分放大电路的传输特性 • 差分式放大电路中的一般概念 • 主要指标计算 • 几种方式指标比较

4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法