利用有限元分析软件计算了不同静力作用下的多种基台-种植体周围骨组织的应力分布.模拟结果显示, 基台-种植体组合中Ti6Al4V钛合金-聚醚醚酮(TC4-PEEK)相对于其他实验组其应力集中程度现象可以有效降低, 周围骨组织的应力分布较为均匀, 最大应力值为40~60 MPa.在轴向加载条件下, 不同基台-种植体系统中PEEK种植体的应力水平较小, 而周围骨组织应力水平较大; 在斜向45°加载条件下, 相对于其他两种基台-种植体系统, TC4-PEEK的应力水平更低, 其周围骨组织中的皮质骨承受的最大应力值为55 MPa, 松质骨承受的最大应力值为5 MPa, 综合来看的应力水平最小, 有助于骨沉积和成骨量增加, 从而有效提高种植体的界面稳定性

研究采用超声协同熔盐电解法制备Al–Si–Sc和Al–Cu–Sc合金，采用光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射研究超声对合金中三元含钪强化相形貌与尺寸的影响，进而阐明超声细化机制。研究结果表明，协同超声促使三元AlSiSc相由粗大菱形管状转变为细小实心方棒状，其尺寸由205减小到40 μm左右；超声显著细化三元AlCuSc相团簇尺寸，由约100减小至约30 μm；超声协同细化机制主要是通过提高形核率细化初生Al3Sc相并促进其均匀分布，进而作为形核发育基底，最终实现三元含钪相细化；同时超声也可促进合金溶质均匀分布，避免粗大Al3Sc相析出；超声细化三元含钪相机制主要作用于电解后凝固阶段

小间距顶管过程中，由于管?管相互作用的影响，使得管周土压力分布与单管顶进土压力分布模式产生差异，从而造成小间距顶管荷载确定、结构计算及顶力估算与控制等设计施工难题。结合数值模拟反分析，基于太沙基土压力理论和极限平衡理论，假设了土体松动线和上部既有顶管的支挡作用线，进一步构建了小间距平行顶管管道拱顶垂直土压力的计算方法。基于构建的土压力计算方法，分析了土体抗剪强度、管径、管间距等对新建顶管拱顶土压力的影响，并与不考虑既有顶管影响的土柱理论和太沙基理论计算值进行了对比。计算结果表明：土体抗剪强度越大，新建顶管拱顶垂直土压力越大，而其侧面的土压力越小；抗剪强度较大时，新构建方法计算拱顶土压力小于太沙基理论计算结果，抗剪强度较小时，新构建方法计算拱顶土压力大于太沙基理论计算结果；顶管埋深增加时，新建顶管拱顶土压力增加，相较于土柱理论和太沙基理论，新构建方法计算的新建顶管拱顶土压力增量最小；随着管间距增加，新建顶管拱顶土压力越来越大

固体氧化物燃料电池（SOFC）具有燃料适用范围广、能量转换效率高（发电效率40%～60%，综合能效≥80%）、全固态结构、模块化组装、零污染等优点，作为固定式或分布式发电可增强电网清洁供电的能力、安全性、可靠性和稳定性。SOFC具有多种不同的结构，其发电规模覆盖几十瓦至百兆瓦，可根据不同的应用场景选择不同的结构，应用场景主要包括固定式发电、分布式供电、热（冷）电联供、交通车辆辅助动力电源等领域。国内的SOFC技术发展较晚，目前已取得一定的研究进展，并且能够自主研发出十几千瓦的SOFC发电系统，但与国际领先水平还有很大的差距，主要体现在输出功率、生产成本及使用寿命等方面。欧洲的SOFC技术处于国际领先水平，具有一批成功实现产品化的公司，通过对其技术和产品的调研，可深入的了解欧洲SOFC技术现状和发展趋势，为国内SOFC技术的发展提供借鉴作用

9.1 分子运动的基本概念 9.2 气体分子的热运动 9.3 统计规律的特征 9.4 理想气体的压强公式 9.5 麦克斯韦速率分布定律 9.6 温度的微观本质 9.7 能量按自由度均分原理 9.8 玻耳兹曼分布律 9.9 气体分子的平均自由程 9.10气体内的迁移现象 9.11热力学第二定律的统计意义 9.12实际气体的性质

本章重点： 离子注入工艺机理、注入方法； 核、电子阻止，杂质分布函数、特点； 注入损伤：原因、种类、主要影响因素； 退火：机理、方法； 离子注入和热扩散比较； 6.1 概述 6.2 离子注入原理 6.3 注入离子在靶中的分布 6.4 注入损伤 6.5 退火 6.6 离子注入设备与工艺 6.7 离子注入的其它应用

知识点： 波函数与电子云 原子核外电子分布的一般规律 原子结构和周期表 化学键 杂化轨道理论 分子间作用力 晶体结构 5.1 原子结构的近代概念 5.2 多电子原子的电子分布方式和周期系 5.3 化学键与分子间相互作用力 5.4 晶体结构

定理1独立同分布的中心极限定理 设随机变量序列X,X2,Xn 独立同一分布,且有期望和方差: E(X)=,D(X)=2>0,k=12,… 则对于任意实数x

§5.1 由系统函数的极零点分布决定时域特性 §5.2 由系统函数决定系统频率特性 §5.3 一阶系统和二阶非谐振系统的S平面分析

第4章静电场中的导体 4.1导体的静电平衡条件 4.2静电平衡的导体上的电荷分布 4.3有导体存在时静电场的分布与计算 4.4静电屏蔽(自学)