一、电场线 电场线： 1、曲线上每一点的切线方向表示该点电场强度E的方向。描述电场分布情况的曲线。 2、曲线的疏密表示该点处场强E的大小。即：垂直通过单位面积的电场线条数，在数值上就等于该点处电场强度的大小

用电化学阻抗谱（EIS）和开路电位测量法（OCPM）研究了在1mol·L-1盐酸溶液中乌鲁托N（UP）与45#钢的界面吸附及缓蚀行为．EIS表明：随着缓蚀剂UP浓度的增大，吸附膜逐渐形成，电荷传递电阻增大．在缓蚀剂浓度为0．01mol·L-1时，缓蚀效率出现最大值；大于该浓度时，缓蚀效率下降．OCPM表明：加缓蚀剂UP前后体系自腐蚀电位的改变与温度的倒数呈线性关系．UP对阳极过程有抑制作用，是阳极型缓蚀剂；吸附热为一35kJ/mol，吸附形式为物理吸附．

在电路网中每两点之间都有中继电路群需求,但并不是任两点都有物理传输链路。 根据两点间最短传输路径将该两点间的电路需求量加载到这条传输路径上去:设a25=10是节点2和5之间的电路需求,节点2和5之间的最短传输路径为2-1-3-5,则加载过程

9.1 人工神经网络概述 9.1.1.人工神经网络概述 9.1.2 人工神经元电路实现模型简介 9.2 细胞神经网络模型及其混沌特性 9.2.1细胞神经网络简介 9.2.2细胞神经网络CNN的混沌输出 9.2.3细胞神经网络的电路实现 9.3 脉冲耦合神经网络模型 9.3.1. PCNN模型基本原理 9.3.2 混沌PCNN模型原理分析 9.3.3 PCNN在CNAPS环境下的数字实现 9.3.4 神经网络在旅行商问题中的应用

第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响 应,条件是 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是,而 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C半导体管的非线性特性 D放大电路的静态工作点不合适

第四章集成运算放大电路自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的

为了得到电磁净化中间包中流体的流动及传输特性,以及旋转运动在中间包净化钢液中所起的作用,采用中间包物理模拟方法,对电磁净化中间包中不同控流装置配置和旋转速度下的停留时间分布曲线进行了测试,并对流场进行了显示实验.结果表明:电磁净化中间包圆形腔中的旋转运动能够减小中间包中滞留区分数,增加活塞区比例,同时增长平均停留时间,有利于中间包内夹杂物的去除;但旋转速度不是越高越好,存在一个最佳值

对高于熔点、含碳0.8%的T8钢液使用电脉冲进行处理.将处理过的T8钢液正常空冷,得到了晶粒明显细化、枝晶发达程度大大减小的凝固组织.并且发现经过电脉冲处理后的T8钢的珠光体形态发生了显著的变化,片层间距缩短.根据实验结果推导了脉冲电压和凝固晶粒个数的经验公式

采用电沉积方法在硫酸盐体系中制得了Fe-Ni合金镀层.研究了Fe2+与Ni2+的摩尔比、氯化亚铈浓度、抗坏血酸浓度、镀液温度、pH、阴极电流密度和电沉积时间对镀层铁含量的影响规律,确定了适宜电沉积因瓦合金的最佳工艺条件,并采用EDS,XRD和TEM对所得镀层进行了分析.验证性实验结果表明,制备的镀层具有与因瓦合金相似的成分,其Fe和Ni质量分数分别为61.8%~62.1%和37.9%~38.1%,它是由单一的纳米晶γ固溶体组成

7.1 比例电路 7.2 基本运算电路 7.3 对数和反对数电路 7.4 集成模拟乘法器 7.5 有源滤波器