系统分析了有关SrTiO3的缺陷化学的文献报道,在此基础上给出了未掺杂、受主和施主掺杂SrTiO3的缺陷反应方程、平衡常数、各种缺陷的生成自由能和生成焓.由此可以计算和预测SrTiO3主要点缺陷的浓度

第二节 非点缺陷 第三节 点缺陷和缺陷反应方程式 第四节 金属氧化物掺杂缺陷

• §3.1 晶体结构缺陷的类型 • §3. 2 点缺陷 • §3.3 线缺陷 • §3.4 面缺陷 • §3.5 固溶体 • §3.6 非化学计量化合物

1.1.3 点阵几何元素的表示 1.1.4 晶体缺陷 1.1.4.1 点缺陷 1.1.4.2 线缺陷和位错 1.1.4.3 面缺陷 1.1.4.4 体缺陷 1.1 结构缺陷的分类 1.1.4.1.1 热缺陷 1.1.4.1.2 杂质缺陷 1.1.4.1.3点缺陷的表示方法 1.1.4.1.4 缺陷反应方程式简介 1.1.4.1.5 点缺陷对材料性能的影响 1.1.4.2.2 螺旋位错 1.1.4.2.3 混合位错 1.1.4.2.4 位错的运动 1.1.4.3 Planar Defect平面位错

第一节晶体结构缺陷的类型 第二节点缺陷的类型

第一节 缺陷化学平衡热力学 第二节 整比（二元）金属氧化物的本征缺陷平衡 第三节 非化学计量金属氧化物缺陷平衡 第四节 多缺陷（对）共存的复杂缺陷平衡体系 第五节 掺杂体系的缺陷平衡——恒定掺杂浓度 第五节 掺杂体系的缺陷平衡—— 变化掺杂浓度

氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上

§1 热缺陷 §2 固溶体 §3 非化学计量化合物 §4 位错

第三节 晶体的结构缺陷 第一节 点缺陷 第二节 固溶体 第三节 固溶体的研究方法 第四节 非化学计量化合物

第三节 晶体的结构缺陷 第一节 点缺陷 第二节 固溶体 第三节 固溶体的研究方法 第四节 非化学计量化合物