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研制了一种无机材料构成的验电标识,放置在导线周围,通过电场驱动电子的运动,促进载流子复合,进而使材料发光,从而判断带电情况,其作为验电标识使用非常便捷.选取了氮化镓GaN材料进行研究,以GaN、InGaN等材料为基础,通过溶胶凝胶法、气相外延等方法制备接触层、基片层、材料层等结构,进而获得了验电标识,该验电标识的发光层是具有多量子肼结构的纳米棒阵列.然后对其进行了电学光学性能参数测试,获得了有关特性曲线,通过Ansoft-maxwell有限元软件进行仿真,分析材料在特高压输电线路周围的电场分布,通过试验分析验电标识发光所需求的电磁环境.最后模拟导线现场进行测试.研究表明,该低场致发光特性的验电标识具有发光功耗低,发光明显等优点,其处于所在区域的电场强度达到1.2×106V·m-1以上时,可激发发光,此时所注入电流约为1.1 mA.通过仿真和试验分析可知带电特高压输电线路周围的空间电场强度满足验电标识发光指示的要求,同时空间杂散电流和材料本身的电容效应提供注入电流.该验电标识通过材料本身发光特性来指示带电状态,安装在距离特高压导线轴线13 cm及以内的范围即可实现验电,通过封装具有较好的耐候性能,同时避免了复杂的电路装置验电存在易受电磁干扰,可靠性差等问题
文档格式:PDF 文档大小:415.95KB 文档页数:4
以GaN和(Ga1-xInx)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH3和PH3实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(Ga1-xInx)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH3和PH3的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程
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电子科技大学:《机器学习 Machine Learning》课程教学资源(课件讲稿)第16讲 生成对抗网络 GAN
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【知识工程】基于AC-GAN数据重构的风电机组主轴承温度监测方法
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人类照明的历史 电光源的历史 半导体发光二极管LED 半导体材料的分代 GaN半导体材料特点 SiC制备方法 砷化镓(GaAs)磷化镓(GaP) 半导体照明发光材料 LED应用简介
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一、化学是中心科学 1.材料:高纯Si、 GaN、超导材料、塑料、医药、仿生材料 2.生命:Hem + O2= HemO2 (血红蛋白Hem)CO (g) + HemO2 (aq) = O2(g) + Hem(CO) (aq)K = 210 3.环境:环境污染治理 4.能源:煤、石油、核燃料发电
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11, Circuit Switching and Packet Switching destination[. de ti' n e i jan]n.目的地,终点 allocate[' aelak e i t]vt.分配,分派,配给 release[ri'li:s]vt.释放,放松,发布 Jargon[吗a:gan]n.行话,土语
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