集成电路(IC)发展 发展历史 特点 发展规律一摩尔定律 IC的分类 IC设计要求 EDA技术的发展 VLSI设计方法学——IC的层次化、结构化设计概念 深亚微米和纳米工艺对EDA技术的挑战

第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

性能参数 一级运放 两级运放 运放稳定性和频率补偿

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PN结和MOS晶体管结构 IC制造主要基本工艺 N阱CMOS简化工艺及工艺的改进 CMOS反相器电路结构及版图 无源器件：R、C、L 版图设计规则

序论 CMOS数字集成电路的优点： 功耗低； 集成度高； 电路简单； 抗干扰能力强； 工作速度正超越典型TTL电路； CMOS数字电路组成： 开关、反相器-基本构件； 组合逻辑电路； 时序逻辑电路；

MOS晶体管模型 □MOS器件结构 阈值电压 MOS晶体管大信号特性 MOS器件寄生电容 □MOS晶体管小信号模型 CMOS模拟电路基本模块 □ MOS开关 □有源电阻 □电流源和电流镜 □电压基准和电流基准 单级CMOS放大器