起来的一种电子显微镜。扫描电子显微镜的成像原理和光学显微镜或透射电子显微镜不同，它是以电子束作为照明

t完整课件，包含电子显微镜、材料X射线衍射分析，前者包括四章，后者九章：电子显微镜：第一章电镜结构

射线衍射应用、透射电子显微镜、电子衍射、晶体薄膜衍射成像分析、扫描电子显微镜与电子探针、光谱分析简介

讲述电子显微镜的观察和制片方法。

关于“电子显微镜”的实物图片，并有电子显微镜的原理图。

扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,简称SEM)是继透射电镜(TEM )之后发展起来的一种电子显微镜 扫描电子显微镜的成像原理和光学显微镜或 透射电子显微镜不同,它是以电子束作为照 明源,把聚焦得很细的电子束以光栅状扫描 方式照射到试样上,产生各种与试样性质有 关的信息,然后加以收集和处理从而获得微 观形貌放大像

透射电子显微镜成像时,电子束是透过样 品成像。由于电子束的穿透能力比较低, 用于透射电子显微镜分析的样品必须很薄 根据样品的原子序数大小不同,一般在 50~500nm之间。制备透射电子显微镜分析 样品的方法很多,这里介绍几种常用的制 样方法

采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强

采用水热法，以Na2WO4·2H2O为原料，NaCl为添加剂，直接在氧化铟锡透明导电基底上制备了有序WO3纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜等手段对制备的纳米棒进行了表征，考察了pH值对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明：单根WO3纳米棒具有六方单晶结构，随着前驱液pH值的增大，平行于基底生长的WO3纳米棒捆逐渐转变为垂直于基底生长的纳米棒阵列.另外，对制备得到的两种不同取向的WO3纳米棒结构进行了光催化降解甲基蓝溶液的研究，发现相比于WO3纳米棒捆结构，纳米棒阵列的光催化性能更高

在最近20多年的时间内，扫描电子显微镜 发展迅速，又综合了X射线分光谱仪、电子 探针以及其它许多技术而发展成为分析型 的扫描电子显微镜，仪器结构不断改进， 分析精度不断提高，应用功能不断扩大， 越来越成为众多研究领域不可缺少的工具， 目前已广泛应用于冶金矿产、生物医学、 材料科学、物理和化学等领域