VC类库电子文档：VC++6.0类库参考手册、VC++6.0运行库参考手册。

vc++课件，包括：VC绪论、VisualC++6.0、基本C++语言、C++面向对象、MFC基本应

西安交通大学：VC++讲义。

VC数据结构实例。

《VC++常用数值计算方法》参考资料，内容包含大量的原程序代码。

第一部分 ICETEK–VC5509-AE 评估板硬件使用指导 第一章 ICETEK–VC5509-AE 评估板技术指标. 第二章 ICETEK–VC5509-AE 原理图和实物图 . 第三章 接插件位置和拨档开关设置. 第四章 二次开发扩展总线（P1，P2，P3，P4）的定义与应用 第五章 TMS320VC5509 的存储空间和评估板的存储器映射 第六章 ICETEK–VC5509-AE评估板 I/O 寄存器的设计和使用. 第二部分 ICETEK-VC5509-AE 教学系统软件使用指导 实验设备安装 一．开发环境 . 二．ICETEK-DSP 教学实验箱的硬件连接 . 三．构造 DSP 开发软件环境 . 四．启动和设置 CCS 一．CCS 软件应用实验 实验 1 ：Code Composer Studio 入门 . 实验 2 ：编写一个以 C 语言为基础的 DSP 程序 . 实验 3 ：编写一个以汇编(ASM)语言为基础的 DSP 程序 实验 4 ：编写一个汇编和 C 混合的 DSP 程序 . 二．基于 DSP 芯片的实验 . 实验 ：DSP 数据存取实验 三．基于 DSP 系统的实验 . 实验 ：指示灯实验 . 实验 ：拨码开关控制实验 . 第三部分 ICETEK-VC5509-AE 教学实验指导 . 实验 ：单路，多路模数转换（AD） . 实验 ：外中断 . 实验 ：DSP 的定时器

使用薄膜TEM直接观察了成分相近热处理制度不同的两个炉号GH36合金的基本组织,使用SAD和DF技术做物相分析。结果表明,合金经正常热处理后析出细小弥散分布的VC,尺寸约在2nm～12nm,还有M23C6和N6C、其中VC和M23C6与合金基体的取向关系是[011]vc∥[011]M∥[011]M23C6,（111）VC∥（111）M∥（111）M23C6,（200）VC∥（200）M∥（200）M23C6,通过补充时效后合金中VC颗粒聚集长大,晶界析出的M23C6更多,这种组织及晶界状态有利于改善合金的持久缺口敏感性

探索了用变质方法改善钒白口铸铁中碳化物的形貌和分布。用稀土综合变质剂对钒白口铸铁进行了变质处理,使钒白口铁中方块状先共晶碳化物和条状共晶碳化物变为圆整时球状碳化物,韧性和机械性能明显提高。研究表明,一定的钒量是碳化物获得球化的必要条件。变质过程中产生的大量的高熔点的硫化物、氮化物是VC非均质形核的基体,对VC以离异共晶方式生长起着重要作用。稀土的脱硫脱氧作用,提高了VC—熔体间的界面能,降低了VC的表面能的各向异性,使VC各个生长锥以在致相等的速度增长,从而长成球形。同时,高的界面能有利于在生长过程中球面的稳定性。稀土综合变质剂正是综合了提供非均质形核基体与提高VC—熔体界面能、降低界面能各向异性的优点,而且前者与后者之间互相促进,因而发挥了较强的球化作用

研究了WC-10Co纳米复合粉的热压烧结,确定合理的烧结温度为1360℃.在纳米WC-10Co复合粉中分别掺杂1.0%VC和1.0%Cr3C2(质量分数),根据烧结体的断裂强度、洛氏硬度等性能和断口形貌,研究了晶粒生长抑制剂VC,Cr3C2对纳米复合WC-10Co粉末烧结性能的影响.结果表明,纳米WC-10Co复合粉掺杂1.0%VC或1.0%Cr3C2,在1 360℃烧结,可以得到晶粒度小于300nm的整体性能较好的超细WC-Co硬质合金,掺杂1.0%VC抑制晶粒生长的效果要好于掺杂1.0%Cr3C2

使用透射电镜观察了GH36合金中M23C6、VC碳化物和基体之间的界面结构,在M23C6/γ的半共格界面上分布有错配位错列,间距约10nm。根据${\\rm{\\vec g}}$·${\\rm{\\vec b}}$=0判据,可以确定该位错的Burgers vector ${\\rm{\\vec b}}$=a/2(110)γ,VC/γ的相界面是具有很大点陈错配度(δ=+0.155)的共格界面。最后,从M23C6、VC和基体之间的不同界面结构与性质讨论了以碳化物沉淀为主要强化手段的Fe基GH36合金的强韧化本质以及如何识别波纹图(Moire pattern)和界面位错的问题