你是否对内存有足够的了解呢?是不是还不太明白。那么,下面让我们一起来看一看关于内存的基本知识 这是将内存条固定在插槽上的装置,以前的ED0内存是一个圆孔,现在的则是一个半圆形,更加方便装卸 芯片——即通常所说的校验芯片,一般用户服务器等大数据量传输,对数据准确性要求比较高的场合。具有ECC校验的内存会 (普通的内存条只有8块芯片)。 指一一这是内存和插槽接触的部分,以前的EDO内存只有72线,使用8电压。目前主流的 SDRAM内存是168线(即144个引 3.3V电压,以后将要出现的DDR内存是184线,具有更优秀的性能 芯片一一这是内存条的主要工作部分。我们平时说的“HY”的条子其实就是指的使用“HY芯片”的内存条,这种没有品牌的内 格便宜,因此在市场上还是有一定的用户。不过要是对内存的要求比较高的话,最好还是购买如“ KingMax”等品牌内存条 一随着内存规范的发展,我们可以看到在SDRM内存条上开始加入了一个6针的小芯片,这块极小的芯片被称为SPD。SPD通 量为2K的 EPROM,在内存出厂时,由厂家将该内存的性能指标及序列号等写入其中。用户在使用中,由支持SPD读取的主板将 并在BIoS中内存类型为Auto的条件下,按SPD的内容设定内存的工作环境,目的在于使整机在最合适此内存的环境下运行, 123 (∈ 4 ilm uiminininmimmnin iiinimiminmimiiiiimnim 的基本情况以后,我们再来看看与之有关的一系列术语 肿周期 期是一个时间的量,人们规定10纳秒(ns)为一个时钟周期。时钟周期表示了SDRM所能运行的最高频率。更小的时钟周期就 的工作频率。对于PC100规格的内存来说,它的运行时钟周期应该不高于10纳秒。纳秒与工作频率之间的转换关系为:1000/ 二作频率。例如,标称10纳秒的PC100内存芯片,其工作频率的表达式就应该是1000100=100,这说明此内存芯片的额 为100MH。目前市场上一些质量优秀的内存通常可以工作在比额定频率高的频率下,这为一些喜欢超频的朋友带来了极大的方 ingMAR的PC100内存,此类内存多采用8纳秒的芯片,相对于其100MHZ的频率来说,频率提高的余地还很大,许多用户都可以 在133MHZ甚至更高的频率下。能不能超频使用很大程度上反应了内存芯片以及PCB板的质量。不过,仅仅凭借时钟周期来判断 还是不够的,内存CAS的存取时间和延迟时间也在一定程度上决定了内存的性能 取时间 我们来看看内存的存取时间。首先应该澄清一个事实:目前大多数的SRM芯片的存取时间多为5、6、7、8或10纳秒,这个“纳 所说的时钟周期中的“纳秒”不是一回事,它们分别表示了不同的意义。比如目前市场上最常见的内存条多采用mY的芯片。如 就会发现内存芯片上会标有“-7J”或“-7K”的字样。有些朋友误将它理解为内存的时钟周期。其实,这里的-7J或-7K代 的存取时间为7纳秒而并不是时钟周期为7纳秒。当内存的存取时间为7纳秒时,它的时钟周期仍然是10纳秒,工作频率也为 样,高士达PC00的内存芯片上也同样有“-”的字样,它与芯片上的7J或7K含义是相同的。因此,在购买的时候请不要
你是否对内存有足够的了解呢？是不是还不太明白。那么，下面让我们一起来看一看关于内存的基本知识。 1、卡槽——这是将内存条固定在插槽上的装置，以前的 EDO 内存是一个圆孔，现在的则是一个半圆形，更加方便装卸。 2、ECC 芯片——即通常所说的校验芯片，一般用户服务器等大数据量传输，对数据准确性要求比较高的场合。具有 ECC 校验的内存会 有 9 块芯片（普通的内存条只有 8 块芯片）。 3、金手指——这是内存和插槽接触的部分，以前的 EDO 内存只有 72 线，使用 8V 电压。目前主流的 SDRAM 内存是 168 线（即 144 个引 脚），使用 3.3V 电压，以后将要出现的 DDR 内存是 184 线，具有更优秀的性能。 4、内存芯片——这是内存条的主要工作部分。我们平时说的“HY”的条子其实就是指的使用“HY 芯片”的内存条，这种没有品牌的内 存条由于价格便宜，因此在市场上还是有一定的用户。不过要是对内存的要求比较高的话，最好还是购买如“KingMax”等品牌内存条。 5、SPD——随着内存规范的发展，我们可以看到在 SDRAM 内存条上开始加入了一个 6 针的小芯片，这块极小的芯片被称为 SPD。SPD 通 常是一块容量为 2K 的 EPROM，在内存出厂时，由厂家将该内存的性能指标及序列号等写入其中。用户在使用中，由支持 SPD 读取的主板将 其内容取出，并在 BIOS 中内存类型为 Auto 的条件下，按 SPD 的内容设定内存的工作环境，目的在于使整机在最合适此内存的环境下运行， 以加强稳定性。 认识了内存的基本情况以后，我们再来看看与之有关的一系列术语： 1、时钟周期 时钟周期是一个时间的量，人们规定 10 纳秒（ns）为一个时钟周期。时钟周期表示了 SDRAM 所能运行的最高频率。更小的时钟周期就 意味着更高的工作频率。对于 PC100 规格的内存来说，它的运行时钟周期应该不高于 10 纳秒。纳秒与工作频率之间的转换关系为：1000 / 时 钟周期 = 工作频率。例如，标称 10 纳秒的 PC100 内存芯片，其工作频率的表达式就应该是 1000 / 100 = 100MHZ，这说明此内存芯片的额 定工作频率为 100MHZ。目前市场上一些质量优秀的内存通常可以工作在比额定频率高的频率下，这为一些喜欢超频的朋友带来了极大的方 便。例如 KingMAX 的 PC100 内存，此类内存多采用 8 纳秒的芯片，相对于其 100MHZ 的频率来说，频率提高的余地还很大，许多用户都可以 让它们工作在 133MHZ 甚至更高的频率下。能不能超频使用很大程度上反应了内存芯片以及 PCB 板的质量。不过，仅仅凭借时钟周期来判断 内存的速度还是不够的，内存 CAS 的存取时间和延迟时间也在一定程度上决定了内存的性能。 2、存取时间 现在让我们来看看内存的存取时间。首先应该澄清一个事实：目前大多数的 SDRAM 芯片的存取时间多为 5、6、7、8 或 10 纳秒，这个“纳 秒”与上面所说的时钟周期中的“纳秒”不是一回事，它们分别表示了不同的意义。比如目前市场上最常见的内存条多采用 HY 的芯片。如 果你仔细观察，就会发现内存芯片上会标有“-7J”或“-7K”的字样。有些朋友误将它理解为内存的时钟周期。其实，这里的-7J 或-7K 代 表的是内存的存取时间为 7 纳秒而并不是时钟周期为 7 纳秒。当内存的存取时间为 7 纳秒时，它的时钟周期仍然是 10 纳秒，工作频率也为 100MHZ。同样，高士达 PC100 的内存芯片上也同样有“-7”的字样，它与 HY 芯片上的-7J 或-7K 含义是相同的。因此，在购买的时候请不要
存取时间和时钟周期相混淆。对于HY的PC100规格的条子来说,-7J或-7K才是合格的产品。而对于Y的PC133规格的内存条 是合乎规范的 的延迟时间 CAS延迟时间和存取时间之间有着密切的联系。首先解释一下什么是内存的CAS延迟时间。所谓CAS延迟时间,就是指内存纵 反应时间。CAS延迟时间是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。在 Intel公司的PC100内存技术白皮书中指出 0标准的内存芯片应该以 CAS Latency(以下简称CL)=2的情况稳定工作在100NHZ的频率下。”CL=2所表示的意义是此时内 的延迟时间是两个时钟周期当CL=3时。内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期,因此,这“2”与“3”之间的差别就 于“1”了,而是1个时钟周期。工作在相同频率下的同种内存,将CL设置为2会得到比3更优秀的性能(当然你的内存必须支 式)。为了使主板正确地为内存设定CAS延迟时间,内存生产厂商都将其内存在不同工作频率下所推荐的CAS延迟时间记录在了 上的一块 EEPROM上,这块芯片就是我们所说的SPD。当系统开机时,主板BI0S会自动检测SPD中的信息并最终确定是以CL=2 确地评价内存的综合性能,我们要将上面所说的三个概念结合起来对于PC1的内存而言,当=3的时候,(ste 即内存时钟周期,由外频所决定,一般地,可认为TCK=1/F.F为工作时的外频.例如,系统在100Mz外频下工作时, Hz=10ns)的数值要小于10纳秒、tAC( Access time from cl)要小于6纳秒。这样才符合PC100标准。而当CL=2的时候,t 为10纳秒就可以符合标准。这是为什么呢?其原因就在于同一条内存,当CL的设置不同时,内存的tCK值并不是唯一的,同样, 不太可能相同的。所以,对于内存的总延迟时间,我们可以用这样一个式子来表示:总延迟时间=时钟周期XCL值+存取时 HY的内存做例子。HY的PC100内存,其时钟周期为10纳秒,当工作在100MHZ时,内存的CL值为2,它的存取时间为7纳秒, 迟时间就是10X2+7=27纳秒。对于内存而言。总延迟时间是反应内存速度最直接的指标 装技术,也就是内存芯片的引脚形式,目前主流的封装形式主要有以下几种: 英文全称为 Bottom Leaded plastic(底部引出塑封技术)是新一代封装技术中的佼佼者,其芯片面积与填充装面积之比大于1 sSP( Chip size Package)填封装规范。不仅高度和面积极小,而且电气特性得到了进一步的提高,制造成本也不高,广泛用于 M\DR等新一代内存制造上 yBGA:英文全称为 Tiny Ball Grid Array(小型球栅阵列封装),其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,是 KingMax的专 M封装技术的一个分支 PI:英文全称为 Thin Small outline Package(薄型小尺寸封装),目前广泛应用于SDRM内存的制造上,但是随着时间的推 进步, TSOP II已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。 带宽 据带宽就是内存的数据传输速度,它是衡量内存性能的重要标准。通常情况下,PC100的SDRM在额定频率(100MHZ)下工作时 速度可以达到800MB/秒。工作在133MH下的PC133内存,其峰值传输速度已经达到了1.06GB/秒,这一速度比PC100内存提高 在实际使用中,其性能的提高是很明显的。对于DR内存而言,由于在同一个时钟的上升和下降沿都能传输数据,所以工作在 它的实际传输速度可以达到21GB/S的水准,也就是普通SDRM内存工作在266Z下所拥有的带宽。此外,PC800的 Rambus dram 传输带宽也达到了1.6GB/S速度。 粒的封装
将芯片上的存取时间和时钟周期相混淆。对于 HY 的 PC100 规格的条子来说，-7J 或-7K 才是合格的产品。而对于 HY 的 PC133 规格的内存条 来讲，-7 才是合乎规范的。 3、CAS 的延迟时间 内存的 CAS 延迟时间和存取时间之间有着密切的联系。首先解释一下什么是内存的 CAS 延迟时间。所谓 CAS 延迟时间，就是指内存纵向 地址脉冲的反应时间。CAS 延迟时间是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。在 Intel 公司的 PC100 内存技术白皮书中指出： “符合 PC100 标准的内存芯片应该以 CAS Latency（以下简称 CL）= 2 的情况稳定工作在 100MHZ 的频率下。”CL=2 所表示的意义是此时内 存读取数据的延迟时间是两个时钟周期当 CL=3 时。内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期，因此，这“2”与“3”之间的差别就 不仅仅局限于“1”了，而是 1 个时钟周期。工作在相同频率下的同种内存，将 CL 设置为 2 会得到比 3 更优秀的性能(当然你的内存必须支 持 CL=2 的模式)。为了使主板正确地为内存设定 CAS 延迟时间，内存生产厂商都将其内存在不同工作频率下所推荐的 CAS 延迟时间记录在了 内存 PCB 板上的一块 EEPROM 上，这块芯片就是我们所说的 SPD。当系统开机时，主板 BIOS 会自动检测 SPD 中的信息并最终确定是以 CL=2 还是 CL=3 来运行。 为了准确地评价内存的综合性能，我们要将上面所说的三个概念结合起来。对于 PC100 的内存而言，当 CL=3 的时候，tCK（System clock cycle time 即内存时钟周期,由外频所决定.一般地,可认为 TCK=1/F.F 为工作时的外频.例如,系统在 100MHz 外频下工作时， TCK=1/100MHz=10ns）的数值要小于 10 纳秒、tAC（Access time from CLK）要小于 6 纳秒。这样才符合 PC100 标准。而当 CL=2 的时候，tCK 的数值只要为 10 纳秒就可以符合标准。这是为什么呢？其原因就在于同一条内存，当 CL 的设置不同时，内存的 tCK 值并不是唯一的，同样， tAC 的值也是不太可能相同的。所以，对于内存的总延迟时间，我们可以用这样一个式子来表示：总延迟时间=时钟周期 X CL 值 + 存取时 间。我们以 HY 的内存做例子。HY 的 PC100 内存，其时钟周期为 10 纳秒，当工作在 100MHZ 时，内存的 CL 值为 2，它的存取时间为 7 纳秒， 因此，总延迟时间就是 10 X 2 + 7 = 27 纳秒。对于内存而言。总延迟时间是反应内存速度最直接的指标。 4、封装技术，也就是内存芯片的引脚形式，目前主流的封装形式主要有以下几种： a、BLP:英文全称为 Bottom Leaded Plastic（底部引出塑封技术）是新一代封装技术中的佼佼者，其芯片面积与填充装面积之比大于 1： 1.1，符合 CSP(Chip Size Package)填封装规范。不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的提高，制造成本也不高，广泛用于 SDRAM\RDRAM\DDR 等新一代内存制造上。 b、TinyBGA:英文全称为 Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），其芯片面积与封装面积之比不小于 1：1.14，是 KingMax 的专 利，属于 BGA 封装技术的一个分支。 c、TSOP II:英文全称为 Thin Small Outline Package（薄型小尺寸封装），目前广泛应用于 SDRAM 内存的制造上，但是随着时间的推 移和技术的进步，TSOP II 已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。 5、数据带宽 所谓数据带宽就是内存的数据传输速度，它是衡量内存性能的重要标准。通常情况下，PC100 的 SDRAM 在额定频率（100MHZ）下工作时， 其峰值传输速度可以达到 800MB/秒。工作在 133MHZ 下的 PC133 内存，其峰值传输速度已经达到了 1.06GB/秒，这一速度比 PC100 内存提高 了 200MB/S，在实际使用中，其性能的提高是很明显的。对于 DDR 内存而言，由于在同一个时钟的上升和下降沿都能传输数据，所以工作在 133MHZ 时，它的实际传输速度可以达到 2.1 GB/S 的水准，也就是普通 SDRAM 内存工作在 266MHZ 下所拥有的带宽。此外，PC800 的 Rambus DRAM 内存其数据传输带宽也达到了 1.6GB/S 速度。 6、颗粒的封装
装技术从最早的DIP、S0J提高到TSOP的形式。从现在主流SDRM的模组来看,除了胜创科技( KingMAX首创的 TinyBGA技术 首创的BLP封装模式外,绝大多数还是采用TSOP的封装技术。采用 TinyBGA封装的内存大小是TSOP封装内存的三分之一,也就 空间下 TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍。此外, Tiny BGA封装内存不但体积小,同时也更薄,其金属基板到散热体的最有 仅有0.36mm,大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性,同时其线路阻抗大大减小,芯片速度也随之得到大幅度的提高 RDRAM的陆续推出,内存频率提高到了一个更高的水平,TSOP封装技术渐渐有些力不从心了,难以满足DRAM设计上的要求 推的 Rambus来看,采用了新一代的μBGA封装形式,相信未来DDR等其他高速DRAM的封装也会采取相同或不同的BGA封装方式。 构(PC133、DR)的低成本优势及广泛的应用领域会使其继续占据一定的市场份额。相信未来的DA市场将会是多种结构并存
DRAM 封装技术从最早的 DIP、SOJ 提高到 TSOP 的形式。从现在主流 SDRAM 的模组来看，除了胜创科技（KingMAX)首创的 TinyBGA 技术 和樵风科技首创的 BLP 封装模式外，绝大多数还是采用 TSOP 的封装技术。采用 TinyBGA 封装的内存大小是 TSOP 封装内存的三分之一，也就 是说，同等空间下 TinyBGA 封装可以将存储容量提高三倍。此外，TinyBGA 封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有 效散热路径仅有 0.36mm，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，同时其线路阻抗大大减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。 随着 DDR、RDRAM 的陆续推出，内存频率提高到了一个更高的水平，TSOP 封装技术渐渐有些力不从心了，难以满足 DRAM 设计上的要求。 从 Intel 力推的 Rambus 来看，采用了新一代的 μBGA 封装形式，相信未来 DDR 等其他高速 DRAM 的封装也会采取相同或不同的 BGA 封装方式。 而 SDRAM 架构（PC133、DDR）的低成本优势及广泛的应用领域会使其继续占据一定的市场份额。相信未来的 DRAM 市场将会是多种结构并存 的局面
