玉学)仁壁器」 第二章晶体三极管 21放大模式下晶体三极管的工作原理 22晶体三极管的其它工作模式 23埃伯尔斯莫尔模型 2.4晶体三极管伏安特性曲线 2.5晶体三极管小信号电路模型 2.6晶体三极管电路分析方法 27晶体三极管的应用原理
2.2 晶体三极管的其它工作模式 2.4 晶体三极管伏安特性曲线 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 2.7 晶体三极管的应用原理 2.1 放大模式下晶体三极管的工作原理 第二章 晶体三极管 2.5 晶体三极管小信号电路模型 2.6 晶体三极管电路分析方法
玉学)仁壁器」 概迷 三极管结构及电路符号 发射极E 集电极C NPN E 发射结基极B集电结 B 发射极E 集电极CE -O C 基极B B
概 述 ➢ 三极管结构及电路符号 发射极E 基极B N P N + 集电极C 发射极E 基极B P N P + 集电极C B E C B E C 发射结 集电结
玉学)壁孳器 三极管内部结构特点 1)发射区高掺杂。2)基区很薄。3)集电结面积大。 三极管三种工作模式 放大模式:发射结正偏,集电结反偏。 饱和模式:发射结正偏,集电结正偏。 截止模式:发射结反偏,集电结反偏。 注意:三极管具有正向受控作用,除了满足内部结 壮构特点外,还必须满足放大模式的外部工作条件。 区圆
➢ 三极管三种工作模式 •放大模式：发射结正偏，集电结反偏。 •饱和模式：发射结正偏，集电结正偏。 •截止模式：发射结反偏，集电结反偏。 注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结 构特点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。 ➢ 三极管内部结构特点 1）发射区高掺杂。2）基区很薄。3）集电结面积大
玉学)仁壁器」 2.1放大模式下三极管工作原理 2.1.1内部载流子传输过程 N+ P N E flEp En clCn'lcBo En E E BO P BB B R R 2 B=lEn+I pBBCBO IEP+(En ICn)-IcBoO lE-Ic
2.1 放大模式下三极管工作原理 2.1.1 内部载流子传输过程 N+ P N - + - + V1 V2 R1 R2 IEn IEp IBB ICn ICBO IE IE= IEn+IEp IC IC=ICn+ICBO IB IB= IEp+IBB -ICBO = IEp+(IEn-ICn) -ICBO =IE -IC
玉学)仁壁器」 口发射结正偏:保证发射区向基区发射多子。 射区掺杂浓度>基区:减少基区向发射区发射的 多子,提高发射效率 口基区的作用:将发射到基区的多子,自发射结传 输到集电结边界。 "基区很薄:可减少多子传输过程中在基区的复合 机会,保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 口集电结反偏、且集电结面积大:保证扩散到集电 结边界的载流子全部漂移到集电区,形成受控的集 电极电流
❑ 发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 ▪发射区掺杂浓度>>基区：减少基区向发射区发射的 多子，提高发射效率。 ❑ 基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传 输到集电结边界。 ▪基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合 机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 ❑ 集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电 结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集 电极电流
玉学)仁壁器」 三极管特性—具有正向受控作用 即三极管输岀的集电极电流lc,主要受正向发射结电 压VB的控制,而与反向集电结电压v近似无关。 注意:NPN型管与PNP型管工作原理相似,但由于 它们形成电流的载流子性质不同,结果导致各极电流 方向相反,加在各极上的电压极性相反。 PN P
➢ 三极管特性——具有正向受控作用 即三极管输出的集电极电流IC ，主要受正向发射结电 压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。 注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于 它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流 方向相反，加在各极上的电压极性相反。 V1 P N P + N P N + V2 V1 V2 - + - + + - + - IE IC IB IE IC IB
玉学)仁壁器」 2.1.2电流传输方程 三极管的三种连接方式三种组态 O C E E C B B OBE oE cO C (共基极) (共发射极)。(共集电极) 口放大电路的组态是针对交流信号而言的。 口观察输入信号作用在那个电极上,输出信号从那 个电极取出,此外的另一个电极即为组态形式。 区园
❑ 观察输入信号作用在那个电极上，输出信号从那 个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。 2.1.2 电流传输方程 ➢ 三极管的三种连接方式——三种组态 B E C B T IE IC E C B E T IC IB C E B C T IE IB （共基极） （共发射极） （共集电极） ❑ 放大电路的组态是针对交流信号而言的
玉学)轳仁壁笪壟效器 共基极直流电流传输方程 直流电流传输系数 E O C CBO C E B 直流电流传输方程:lc=aln+lcmo 共发射极直流电流传输方程 B C c=ale+ CBO B E E E 直流电流传输方程:lc=B/1B+lcro 其中:B C CEO=(1+ B)IcBO 1-a 区圆
➢ 共基极直流电流传输方程 B E C B T 直流电流传输系数： IE IC E C E C CBO I I I I I − = 直流电流传输方程： C E CBO I =I + I ➢ 共发射极直流电流传输方程 E C B E T IC IB − = 1 CEO CBO I = (1+ )I C B CEO 直流电流传输方程： I = I + I 其中： E B C I = I + I C E CBO I =I + I
玉学)仁壁器」 β的物理含义: C B C C Cn E B CnN E E E BB β表示,受发射结电压控制的复合电流lB,对集电 极正向受控电流lcn的控制能力 若忽略lcBo,则:阝=′s E Cn B 可见,B为共发射极电流放大系数
➢ 的物理含义： Cn E Cn E 1 / / 1 I I I I − = − = 表示，受发射结电压控制的复合电流IBB ，对集电 极正向受控电流ICn的控制能力。 若忽略ICBO，则： B C E Cn Cn I I I I I − = E C B E T IC IB 可见， 为共发射极电流放大系数。 BB Cn E Cn Cn I I I I I − =
玉学)仁壁器」 >ICEo的物理含义 co指基极开路时,集电极 cbo CH CEO N 直通到发射极的电流。 B l=0 EP En En o e Cncbo E 即:B Cn E Cn CBO 因此:l CEO I +IcBo BlCBO +1cB0=(1+B)l CBO
➢ ICEO的物理含义： ICEO指基极开路时，集电极 直通到发射极的电流。 ∵ IB=0 IEP ICBO ICn IEn + _ VCE N P N+ C B E ICEO IB=0 ∴ IEp+(IEn-ICn) =IE -ICn =ICBO 因此： CEO Cn CBO CBO CBO CBO I = I + I = I + I = (1+ )I CBO Cn E Cn Cn I I I I I = − 即： =